类型：MOSFET
　　沟道类型：双 N 沟道
　　最大漏极电流（Id）：4A（每个通道）
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：36mΩ（典型值，@Vgs=10V）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：8-Pin SOIC

DMF2821 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，确保了在低导通电阻和高开关速度之间的最佳平衡。其低 Rds(on) 特性减少了导通损耗，从而提高了系统效率。此外，该器件具有高雪崩能量耐受能力，增强了在严苛工作环境下的可靠性。DMF2821 还具备快速开关性能，适用于高频操作，从而减小外部电感和电容的尺寸。此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽（通常为 4.5V 至 20V），兼容多种控制电路设计。其封装形式支持表面贴装技术（SMT），适用于自动化生产流程。
　　该器件的热阻（RθJA）较低，使其在高电流应用中也能保持良好的散热性能。DMF2821 的设计符合 RoHS 标准，适用于环保型电子产品。同时，其双 N 沟道结构允许在一个封装中实现两个独立的功率开关，节省了 PCB 空间并简化了电路设计。

DMF2821 主要用于需要高效能和小尺寸封装的电源管理应用。典型应用包括同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、LED 驱动器以及各种便携式电子设备的电源模块。此外，它也适用于工业自动化系统、电信设备和消费类电子产品中的功率控制电路。由于其出色的开关特性和紧凑的封装，DMF2821 在高性能电源转换系统中具有广泛的适用性。

DMF2820, DMF2822, DMN2821