时间：2025/12/29 14:38:14
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HUF75639S 是由安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高电流、高效率的开关应用，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等场景。HUF75639S采用了先进的沟槽技术，提供低导通电阻（RDS(on)）和高功率密度，能够在高温环境下稳定工作，具备优异的热性能和可靠性。
类型：N沟道
最大漏源电压(VDS)：30V
最大栅源电压(VGS)：±20V
最大连续漏极电流(ID)：110A（在TC=25℃）
导通电阻(RDS(on))：1.25mΩ（典型值）
功率耗散(PD)：170W
工作温度范围：-55℃至175℃
封装形式：TO-247
HUF75639S MOSFET具有多个显著的技术特性。首先，其极低的导通电阻（RDS(on)）可以显著降低导通损耗，提高系统效率，这在高电流应用中尤为重要。其次，该器件支持高达110A的连续漏极电流，适用于需要大功率输出的场合，如电机驱动和电源转换器。
此外，HUF75639S采用了先进的封装技术，提供了良好的热管理和散热性能，使其能够在高温环境下稳定运行。TO-247封装具有较大的引脚间距和良好的机械稳定性，适合高功率密度的设计需求。
该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力，能够在极端工作条件下提供额外的安全保障。栅极驱动电压范围宽，支持常见的逻辑电平驱动（如5V和10V），适用于多种控制电路。
最后，HUF75639S通过了AEC-Q101汽车级认证，适用于汽车电子系统中的功率管理应用，确保在严苛环境下的稳定性和可靠性。
HUF75639S MOSFET广泛应用于多个领域，包括但不限于电源管理系统、DC-DC转换器、负载开关、电机控制器、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备以及汽车电子系统等。在电动汽车和混合动力汽车中，该器件常用于高压电池组的电源切换和管理电路中，确保高效的能量传输和稳定的系统运行。
在通信设备中，HUF75639S可用于高效率电源模块的设计，以满足5G基站、数据中心服务器等设备对高功率密度和高效能的需求。此外，在工业控制和自动化系统中，该MOSFET可用于驱动高功率负载，如继电器、电磁阀和电机，确保系统在高负荷条件下的稳定运行。
由于其优异的导通特性和高可靠性，HUF75639S也适用于太阳能逆变器和储能系统中的功率转换模块，帮助实现更高的能源利用效率。
Si7463DP, IRF1404, FDS6680, HUF75649S
