您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > HUF75637S3ST

HUF75637S3ST 发布时间 时间:2025/7/11 22:16:49 查看 阅读:9

HUF75637S3ST 是一款基于 MOSFET 技术的 N 沟道增强型功率场效应晶体管(Power MOSFET)。该器件采用 TO-263 封装形式,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适用于各种需要高效能功率转换的应用场景。其典型应用包括 DC-DC 转换器、降压/升压电路、负载开关以及电机驱动等。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:30A
  导通电阻:1.8mΩ
  栅极电荷:39nC
  输入电容:1660pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装类型:TO-263

特性

HUF75637S3ST 的主要特点是低导通电阻(Rds(on)),这有助于减少传导损耗并提高效率。同时,其较小的栅极电荷允许更快的开关速度,从而降低开关损耗。
  此外,该器件具备出色的热稳定性,能够在高温环境下可靠运行,非常适合工业及汽车级应用需求。
  由于采用了先进的制造工艺,这款功率 MOSFET 还具备高雪崩耐量能力,增强了系统在异常情况下的保护性能。

应用

HUF75637S3ST 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器
  2. 电机驱动与控制
  3. 电池管理系统 (BMS)
  4. 工业自动化设备中的负载切换
  5. 汽车电子系统中的高电流开关
  6. 充电器和适配器设计

替代型号

HUF75637S3L, IRFZ44N, FDP18N40L

HUF75637S3ST推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

HUF75637S3ST资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

HUF75637S3ST参数

  • 标准包装800
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列UltraFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C44A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C30 毫欧 @ 44A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs108nC @ 20V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1700pF @ 25V
  • 功率 - 最大155W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D²PAK
  • 包装带卷 (TR)