HUF75637S3ST 是一款基于 MOSFET 技术的 N 沟道增强型功率场效应晶体管(Power MOSFET)。该器件采用 TO-263 封装形式,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适用于各种需要高效能功率转换的应用场景。其典型应用包括 DC-DC 转换器、降压/升压电路、负载开关以及电机驱动等。
最大漏源电压:40V
连续漏极电流:30A
导通电阻:1.8mΩ
栅极电荷:39nC
输入电容:1660pF
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装类型:TO-263
HUF75637S3ST 的主要特点是低导通电阻(Rds(on)),这有助于减少传导损耗并提高效率。同时,其较小的栅极电荷允许更快的开关速度,从而降低开关损耗。
此外,该器件具备出色的热稳定性,能够在高温环境下可靠运行,非常适合工业及汽车级应用需求。
由于采用了先进的制造工艺,这款功率 MOSFET 还具备高雪崩耐量能力,增强了系统在异常情况下的保护性能。
HUF75637S3ST 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器
2. 电机驱动与控制
3. 电池管理系统 (BMS)
4. 工业自动化设备中的负载切换
5. 汽车电子系统中的高电流开关
6. 充电器和适配器设计
HUF75637S3L, IRFZ44N, FDP18N40L