时间：2025/8/24 20:41:31
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HUF75343S3S（75343S）是一款由安森美半导体（onsemi）推出的高性能功率MOSFET器件。该器件采用先进的Trench沟槽技术制造，具有极低的导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，适用于需要高效率和高功率密度的电源管理应用。HUF75343S3S采用DPAK（SMD-3）封装形式，便于在紧凑空间中使用，并具备良好的散热能力。
类型：N沟道
最大漏极电压（Vds）：30V
最大漏极电流（Id）：80A
导通电阻（Rds(on)）：@4.5V驱动：约2.3mΩ
栅极电荷（Qg）：约58nC
封装类型：DPAK（SMD-3）
HUF75343S3S具备多项显著的技术特性。首先，其极低的导通电阻（Rds(on)）确保在高电流工作条件下，功率损耗显著降低，从而提高整体效率。其次，该器件支持高电流能力，能够承受高达80A的漏极电流，适合用于大功率应用。此外，采用Trench沟槽技术提高了器件的热稳定性和可靠性，使其在高温环境下也能稳定工作。
这款MOSFET的栅极驱动电压在4.5V至10V范围内均可工作，提供灵活的驱动选项。同时，器件的封装设计（DPAK）具备良好的散热性能，能够有效散发工作过程中产生的热量，从而延长器件的使用寿命。此外，HUF75343S3S还具备出色的抗雪崩击穿能力，适用于高应力工作环境。
HUF75343S3S广泛应用于各类电力电子设备中，例如DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、负载开关、电池管理系统（BMS）以及电源管理模块。其高效率和高可靠性的特性使其特别适合用于汽车电子、工业控制、服务器电源以及高性能电源适配器等对效率和可靠性要求较高的场景。
HUF75343P3C, IRF1324S-7PP, SiSS738DN-T1-GE3
