类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：75A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.0125Ω（最大值，Vgs=10V）
　　功耗（Pd）：160W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装类型：D2PAK（TO-263）

HUF753399G3采用先进的Trench沟槽MOSFET技术，提供极低的导通电阻，从而减少了导通状态下的功率损耗，提高系统效率。该器件具有高电流承载能力和良好的热稳定性，适用于高功率密度设计。其D2PAK封装具有良好的散热性能，能够有效降低工作温度，延长器件寿命。
　　此外，HUF753399G3具备快速开关特性，适用于高频率开关应用，减少开关损耗并提高整体系统性能。其栅极驱动电压范围宽，兼容标准逻辑驱动电路，方便集成到各种功率管理系统中。
　　该MOSFET还具备高雪崩能量耐受能力，增强了器件在异常工作条件下的可靠性。其设计符合RoHS环保标准，适合用于对环保要求较高的电子产品中。

HUF753399G3广泛应用于各种功率电子系统，如直流-直流转换器、电机控制器、电池管理系统、负载开关和电源管理模块等。由于其高电流能力和低导通电阻，该器件特别适合用于高效率电源转换器和高功率密度电源系统。
　　在汽车电子领域，HUF753399G3可用于车载充电系统、起停系统和电动助力转向系统等应用。在工业控制方面，它可用于PLC（可编程逻辑控制器）、伺服电机驱动器和工业电源模块。
　　此外，该MOSFET还可用于服务器和电信设备的电源系统，提供高效的电源管理解决方案。其高可靠性和宽工作温度范围使其适用于严苛的工业和汽车环境。

SiHHU753399-E3, FDP753399G3