时间：2025/8/24 17:59:44
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HUF75337S3ST 是一款由 Vishay Semiconductors 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件采用了先进的 TrenchFET 技术，具有低导通电阻、高效率和高可靠性。该 MOSFET 适用于同步整流、DC-DC 转换器、负载开关以及马达控制等应用领域。其 SOT-223 封装形式使得在 PCB 上的空间占用较小，同时具备良好的热性能。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏极电流（ID）：110 A（在 25°C 下）
最大漏源电压（VDS）：30 V
最大栅源电压（VGS）：±20 V
导通电阻（RDS(on)）：3.3 mΩ（典型值，当 VGS = 10 V）
栅极电荷（Qg）：88 nC（典型值）
封装形式：SOT-223
HUF75337S3ST 采用 Vishay 的 TrenchFET 技术，使其在低电压应用中表现出色，特别是在需要高效能和低功耗的系统中。其导通电阻非常低，仅为 3.3 mΩ，这显著降低了导通损耗，提高了系统效率。此外，该器件具有较高的电流承载能力，额定漏极电流高达 110 A，适用于高功率密度的设计。TrenchFET 技术还带来了更快的开关速度，从而减少了开关损耗，适用于高频开关应用。
该 MOSFET 在封装设计上采用了 SOT-223 形式，具备良好的散热能力，能够在高功率工作环境下保持稳定运行。此外，其栅极电荷较低（88 nC），有助于提高开关效率，降低驱动损耗。栅源电压范围为 ±20 V，具有一定的过压耐受能力，适用于多种驱动电路配置。
在热性能方面，HUF75337S3ST 的热阻（RθJA）较低，有助于在高负载条件下保持良好的散热效果，确保器件长期稳定运行。该器件还具有良好的短路耐受能力，增强了在恶劣工作环境中的可靠性。
HUF75337S3ST 适用于多种功率电子系统，包括但不限于同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统、服务器电源、电信设备电源以及马达控制电路。由于其低导通电阻和高电流能力，该 MOSFET 特别适合用于高效率、高功率密度的电源转换系统。此外，其紧凑的 SOT-223 封装形式也适用于对空间要求较高的便携式设备和嵌入式系统设计。
Si7461DP, IRF1324S-7PPBF, FDS6680
