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HUF75332P3 发布时间 时间:2025/7/9 10:38:20 查看 阅读:6

HUF75332P3 是一款由 Hitachi(日立)制造的高压功率 MOSFET,主要用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等高电压应用。该器件采用 TO-220 封装,具有低导通电阻和高耐压的特点,适用于需要高效能和高可靠性的电路设计。
  这款功率 MOSFET 以 N 沟道增强型场效应晶体管为核心,通过栅极控制实现高效的开关功能,能够在高频条件下提供稳定的性能表现。

参数

最大漏源电压:650V
  连续漏极电流:4.1A
  脉冲漏极电流:16A
  栅源电压:±20V
  导通电阻:2.8Ω
  总功耗:140W
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

HUF75332P3 具备以下主要特性:
  1. 高击穿电压,支持高达 650V 的漏源电压,确保在高压环境下稳定运行。
  2. 低导通电阻(2.8Ω),减少功率损耗并提高效率。
  3. 快速开关速度,适合高频应用。
  4. 内置 ESD 保护,增强抗静电能力。
  5. 高可靠性设计,适用于恶劣环境下的工业应用。
  6. 符合 RoHS 标准,环保无铅封装。
  HUF75332P3 在设计上兼顾了高性能与耐用性,特别适合对功率效率要求较高的应用场景。

应用

HUF75332P3 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
  2. 电机驱动和控制电路,例如家用电器中的风扇或泵控制。
  3. 逆变器和不间断电源 (UPS) 系统。
  4. 工业自动化设备中的电源模块。
  5. 汽车电子系统中的负载开关和保护电路。
  由于其高耐压特性和较低的导通电阻,该器件非常适合于需要承受较大瞬态电压波动的应用场景。

替代型号

IRF840
  STP90NE65M3
  FDP17N65C
  IXTP10N65Q2

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HUF75332P3参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装400
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列UltraFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C60A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C19 毫欧 @ 60A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs85nC @ 20V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1300pF @ 25V
  • 功率 - 最大145W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称HUF75332P3-NDHUF75332P3FS