LDTC144EM3T5G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双极型晶体管(BJT),属于 NPN 型晶体管。该器件采用 SOT-23 封装,适用于多种通用开关和放大应用。LDTC144EM3T5G 是一款具有内置基极-发射极电阻的晶体管,有助于简化电路设计并减少外部元件数量。这种特性使得它在数字开关电路、逻辑驱动电路以及低功率放大电路中非常受欢迎。
类型:NPN 双极型晶体管
最大集电极-发射极电压(Vce):30V
最大集电极电流(Ic):100mA
最大功耗(Pd):300mW
电流增益(hFE):110(最小)至 800(最大),取决于测试条件
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:SOT-23
基极-发射极电阻:10kΩ
集电极-基极电阻:10kΩ
LDTC144EM3T5G 的一个显著特点是其内置的基极和发射极电阻,这使得该晶体管在使用时无需额外添加这些偏置电阻,从而节省了 PCB 空间并降低了设计复杂度。该晶体管的高电流增益(hFE)范围允许它在不同的工作条件下保持稳定的放大性能。
此外,LDTC144EM3T5G 具有良好的热稳定性和较高的可靠性,适合在广泛的工业和消费类电子产品中使用。其 SOT-23 小型封装形式适用于表面贴装技术(SMT),便于自动化生产和高密度布局。
该晶体管的工作温度范围较宽(-55°C 至 +150°C),适用于各种环境条件下的应用。ON Semiconductor 提供了详细的技术文档和数据手册,方便工程师进行电路设计和性能优化。
LDTC144EM3T5G 主要用于数字开关电路、逻辑电平转换、LED 驱动、继电器驱动、低电压放大电路以及通用模拟和数字电路中的信号处理。由于其内置电阻的特性,特别适用于微控制器 I/O 引脚的扩展驱动、传感器信号调理、小型电机控制和电源管理电路。
此外,该晶体管也可用于电池供电设备、便携式电子产品、通信模块、工业控制系统以及各种嵌入式系统中。其小封装和高性能特性使其成为许多现代电子产品中的理想选择。
MMBT3904LT1G, 2N3904, BC847, 2N2222A