时间：2025/8/24 16:32:55
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HUF75329D3STS2559 是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）制造的高性能N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻、高功率密度和良好的热性能，适用于高频率开关应用。其封装形式为D3PAK（TO-252AA），便于散热，广泛用于电源管理和电机控制等场合。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：60A
漏极-源极击穿电压（VDS）：30V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：2.9mΩ @ VGS=10V
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
封装类型：D3PAK（TO-252AA）
HUF75329D3STS2559 MOSFET采用先进的沟槽技术，能够在低导通电阻下提供高电流能力，从而减少导通损耗并提高系统效率。该器件具有出色的热稳定性，能够在高温度环境下稳定工作，确保长期可靠性。其低栅极电荷（Qg）特性使其适合用于高频开关应用，减少开关损耗。此外，该MOSFET的封装设计具有良好的散热性能，有助于将热量快速传导至散热器，提高整体系统的热管理能力。
在实际应用中，HUF75329D3STS2559的低RDS(on)特性可以显著降低功率损耗，使其成为高效率DC-DC转换器、同步整流器和电机驱动器的理想选择。其高电流承载能力和良好的瞬态响应特性，使其在负载变化频繁的应用中表现出色。此外，该MOSFET的高耐压特性也使其适用于各种电源管理系统，如笔记本电脑适配器、服务器电源和工业控制系统。
HUF75329D3STS2559 MOSFET广泛应用于需要高效能功率管理的场合，包括DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电源适配器、服务器电源系统、工业控制设备和汽车电子系统等。其高电流能力和良好热性能使其在高性能电源管理方案中具有显著优势。
IRF75329D3PBF、IPD75329D3、SiS75329D3
