FMW47N60S1 是一款由 Fairchild(飞兆半导体,现为安森美半导体的一部分)生产的 N 沟道功率 MOSFET。这款 MOSFET 设计用于高功率应用,具有低导通电阻、高耐压特性以及出色的热性能。由于其优异的性能,FMW47N60S1 常被用于电源转换器、电机控制、DC-DC 转换器以及各种高功率电子设备中。
类型:N 沟道 MOSFET
最大漏源电压 (Vds):600V
最大栅源电压 (Vgs):±30V
最大漏极电流 (Id):47A
导通电阻 (Rds(on)):0.155Ω(最大)
功率耗散 (Pd):300W
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装类型:TO-247
晶体管配置:单路
FMW47N60S1 的主要特性之一是其低导通电阻 (Rds(on)),这有助于降低功率损耗并提高整体系统效率。此外,该器件具有高达 600V 的漏源击穿电压,使其适用于高压环境下的应用。
该 MOSFET 还具有较高的电流承载能力,额定漏极电流可达 47A,适合需要高功率输出的系统。其 TO-247 封装提供了良好的热管理和散热性能,确保在高负载条件下也能保持稳定运行。
另一个显著特性是其快速开关能力,FMW47N60S1 具有较低的开关损耗,使其适用于高频开关应用,如开关电源(SMPS)和 DC-DC 转换器。此外,该器件具备较高的耐用性和稳定性,可在恶劣的电气环境中可靠工作。
该 MOSFET 的栅极驱动要求较低,适合与多种控制 IC 和驱动器配合使用,从而简化电路设计。同时,其 ±30V 的栅源电压耐受能力提供了更高的设计灵活性和保护裕度。
FMW47N60S1 主要应用于各种高功率电子系统中,包括但不限于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、电机控制、功率因数校正(PFC)电路、不间断电源(UPS)以及工业自动化控制系统。
在开关电源领域,该器件凭借其低导通电阻和高开关速度,能够显著提高电源转换效率并减少热量产生。在电机控制应用中,FMW47N60S1 可用于驱动高功率电机,实现高效的能量传输和精确的控制。
此外,该 MOSFET 也常用于太阳能逆变器、电池充电器以及各种工业电源设备中,其高可靠性和热稳定性使其成为工业级应用的理想选择。
FQA47N60, FCP47N60S, FDPF47N60S