HUF75307 是一款由 Infineon Technologies(英飞凌)公司制造的高性能功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高效率电源管理和功率开关应用设计。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术,具有低导通电阻(Rds(on))和高电流承载能力,适用于如 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统以及电机控制等多种应用场景。HUF75307 采用 TO-220 封装形式,具备良好的热性能和机械稳定性,适合在严苛环境下使用。
类型:N 沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds):30V
最大栅源电压(Vgs):20V
最大连续漏极电流(Id)@25°C:110A
导通电阻(Rds(on))@Vgs=10V:3.6mΩ
导通电阻(Rds(on))@Vgs=4.5V:5.4mΩ
功耗(Pd):200W
工作温度范围:-55°C ~ +175°C
封装形式:TO-220
HUF75307 MOSFET 具有多个关键特性,使其在多种功率应用中表现出色。
首先,其低导通电阻(Rds(on))显著降低了导通状态下的功率损耗,从而提高了系统的整体效率。在 Vgs=10V 时,Rds(on) 仅为 3.6mΩ,在 Vgs=4.5V 时也保持在 5.4mΩ 的较低水平,这使得该器件即使在较低的栅极驱动电压下也能维持良好的性能。
其次,HUF75307 的最大漏极电流高达 110A,能够在高负载条件下提供稳定的电流传输能力,非常适合用于高功率密度设计。此外,该器件具备出色的热稳定性,TO-220 封装提供了良好的散热性能,有助于延长器件的使用寿命并提高系统的可靠性。
该 MOSFET 还具有较高的栅极绝缘强度,最大栅源电压为 ±20V,这使其在面对电压波动时仍能保持稳定运行。此外,HUF75307 的工作温度范围为 -55°C 至 +175°C,能够在极端温度环境下正常工作,适应各种工业和汽车应用的需求。
最后,HUF75307 的封装形式为 TO-220,这是一种广泛使用的标准封装,便于安装和替换,并且与大多数 PCB 设计和散热器兼容。
HUF75307 主要应用于需要高效功率转换和管理的场合,包括但不限于以下领域:
1. DC-DC 转换器:用于服务器、通信设备和工业电源系统中的高效电压转换。
2. 电池管理系统:用于电动汽车、电动工具和便携式设备中的电池充放电控制。
3. 电机驱动:用于无刷直流电机、步进电机等的功率开关控制。
4. 负载开关:用于电源管理模块中,实现对不同负载的快速通断控制。
5. 高功率 LED 驱动:用于照明系统中实现高效率的电流调节和开关控制。
6. 工业自动化设备:用于 PLC、变频器和其他自动化控制系统中的功率开关应用。
由于其高电流能力和低导通电阻,HUF75307 也常用于高功率音频放大器和汽车电子系统中。
IRF1404, SiR144DP, FDP7744, IPP045N03L G