时间：2025/8/25 3:02:51
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HUF75307 是一款由 Infineon Technologies（英飞凌）公司制造的高性能功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率电源管理和功率开关应用设计。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，适用于如 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统以及电机控制等多种应用场景。HUF75307 采用 TO-220 封装形式，具备良好的热性能和机械稳定性，适合在严苛环境下使用。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：30V
最大栅源电压（Vgs）：20V
最大连续漏极电流（Id）@25°C：110A
导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V：3.6mΩ
导通电阻（Rds(on)）@Vgs=4.5V：5.4mΩ
功耗（Pd）：200W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装形式：TO-220
HUF75307 MOSFET 具有多个关键特性，使其在多种功率应用中表现出色。
首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，从而提高了系统的整体效率。在 Vgs=10V 时，Rds(on) 仅为 3.6mΩ，在 Vgs=4.5V 时也保持在 5.4mΩ 的较低水平，这使得该器件即使在较低的栅极驱动电压下也能维持良好的性能。
其次，HUF75307 的最大漏极电流高达 110A，能够在高负载条件下提供稳定的电流传输能力，非常适合用于高功率密度设计。此外，该器件具备出色的热稳定性，TO-220 封装提供了良好的散热性能，有助于延长器件的使用寿命并提高系统的可靠性。
该 MOSFET 还具有较高的栅极绝缘强度，最大栅源电压为 ±20V，这使其在面对电压波动时仍能保持稳定运行。此外，HUF75307 的工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，能够在极端温度环境下正常工作，适应各种工业和汽车应用的需求。
最后，HUF75307 的封装形式为 TO-220，这是一种广泛使用的标准封装，便于安装和替换，并且与大多数 PCB 设计和散热器兼容。
HUF75307 主要应用于需要高效功率转换和管理的场合，包括但不限于以下领域：
1. DC-DC 转换器：用于服务器、通信设备和工业电源系统中的高效电压转换。
2. 电池管理系统：用于电动汽车、电动工具和便携式设备中的电池充放电控制。
3. 电机驱动：用于无刷直流电机、步进电机等的功率开关控制。
4. 负载开关：用于电源管理模块中，实现对不同负载的快速通断控制。
5. 高功率 LED 驱动：用于照明系统中实现高效率的电流调节和开关控制。
6. 工业自动化设备：用于 PLC、变频器和其他自动化控制系统中的功率开关应用。
由于其高电流能力和低导通电阻，HUF75307 也常用于高功率音频放大器和汽车电子系统中。
IRF1404, SiR144DP, FDP7744, IPP045N03L G
