电容值：180pF
　　容差：±20%
　　额定电压：100V
　　介质材料：X7R
　　封装尺寸：1210（3225公制）
　　温度范围：-55°C 至 +125°C
　　绝缘电阻：10,000MΩ 最小
　　工作温度系数：±15%
　　最大高度：1.65mm
　　端接类型：镍/锡（Ni/Sn）

HU5420V181MRZS2 是一款高性能的多层陶瓷电容器，具有优异的电性能和机械稳定性。其采用X7R陶瓷介质，具有良好的温度稳定性，能够在-55°C至+125°C的宽温度范围内保持电容值的稳定。该电容器的容差为±20%，适用于对电容精度要求不是特别苛刻的应用场景。其额定电压为100V，能够承受较高的电压应力，适用于中高压电路设计。
　　在结构设计方面，HU5420V181MRZS2 采用1210（3225公制）封装尺寸，这种封装形式广泛应用于表面贴装技术（SMT）中，便于自动化生产和组装。其端接材料为镍/锡（Ni/Sn），具有良好的可焊性和耐腐蚀性，能够确保电容器与PCB之间的可靠连接。此外，该电容器的绝缘电阻值高达10,000MΩ以上，确保在高阻抗电路中的稳定运行，避免漏电流带来的性能影响。
　　由于其优良的高频特性，HU5420V181MRZS2 可广泛用于去耦、旁路、滤波和信号耦合等应用场景，特别是在电源管理电路、射频（RF）电路、模拟电路和数字电路中表现出色。它还具有较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），有助于减少高频噪声和提高电路稳定性。

HU5420V181MRZS2 广泛应用于多种电子设备和系统中，尤其是在对电容稳定性和高频性能有较高要求的电路中。常见的应用包括电源去耦、滤波电路、射频（RF）电路中的旁路电容、模拟信号耦合以及数字电路中的噪声抑制。此外，该电容器也常用于工业控制设备、汽车电子系统、通信设备、消费类电子产品和测试测量仪器等领域的电路设计中。

TDK C3225X7R1H181K160AC
　　KEMET C1210C181K1GACTU
　　Murata GRM32ER71H181KA12L
　　Vishay VJ1210Y181K101JXC