时间：2025/9/6 14:44:30
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HU52W391MRAS5是一款由Hynix（现为SK hynix）制造的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于内存模块的一种。这款芯片通常用于需要高速数据存取的电子设备中，如计算机、服务器、嵌入式系统等。HU52W391MRAS5的设计旨在提供高性能和低功耗，适用于各种高密度内存应用。其封装形式和电气特性使其能够适应现代电子设备对小型化和高效能的需求。
容量：256MB
类型：DRAM
封装类型：TSOP（薄型小外形封装）
数据宽度：16位
工作电压：2.3V - 3.6V
时钟频率：166MHz
访问时间：5.4ns
刷新周期：64ms
工作温度范围：-40°C至+85°C
HU52W391MRAS5是一款性能优越的DRAM芯片，具备高速数据访问能力和较低的功耗。该芯片的166MHz时钟频率和5.4ns的访问时间使其能够在高性能计算和数据密集型应用中表现出色。同时，其低电压工作范围（2.3V至3.6V）不仅提高了能效，还增强了其在不同电源环境下的适应性。
HU52W391MRAS5采用了TSOP封装技术，这种封装方式具有较小的体积和良好的散热性能，非常适合空间受限的应用场景。此外，该芯片支持64ms的刷新周期，能够在保证数据稳定性的前提下，降低功耗和提高存储效率。
该芯片的工作温度范围较宽，能够在-40°C至+85°C之间正常运行，适用于工业级和商业级应用环境。这种宽温特性使其在极端环境条件下也能保持稳定的性能。
HU52W391MRAS5广泛应用于需要大容量内存和高速数据处理的设备中。常见的应用领域包括个人计算机、服务器、网络设备、嵌入式系统以及工业控制设备。由于其高性能和低功耗的特点，该芯片也常用于需要长时间稳定运行的设备，如通信基站、监控系统和自动化控制系统。
IS42S16100A-6T、MT48LC16M16A2B4-6A、CY7C1361BV25-166BZXC
