容量：512Mbit
　　类型：DRAM
　　组织结构：x16
　　电压：2.3V - 3.6V
　　访问时间：55ns
　　封装：TSOP
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　数据保持电压：1.5V
　　刷新周期：64ms
　　封装引脚数：54-pin

HU52G560MRW是一款高性能的DRAM芯片，具有较大的存储容量和较低的功耗，适合用于需要稳定存储和快速数据访问的应用。其容量为512Mbit，组织结构为x16，这使得它在处理大量数据时具有更高的效率。芯片支持多种工作电压范围（2.3V至3.6V），允许在不同电源环境下稳定运行，并具有低电压数据保持功能（最低1.5V），可以在低功耗模式下保持数据完整性。
　　该芯片的访问时间为55ns，表明其具有较快的数据读取速度，适用于需要快速响应的系统。封装形式为54-pin TSOP，这种封装方式在空间受限的应用中非常常见，并具有良好的散热性能。此外，芯片支持64ms的自动刷新周期，减少了外部控制器的负担，提高了系统的稳定性。
　　HU52G560MRW还支持多种低功耗操作模式，包括待机模式和深度掉电模式，可以在设备不活跃时显著降低功耗。其宽广的工作温度范围（-40°C至+85°C）使其能够在工业级环境中可靠运行。

HU52G560MRW常用于工业控制系统、网络设备（如路由器和交换机）、嵌入式系统、数据采集设备以及便携式电子设备中。由于其支持低功耗模式和宽温度范围，非常适合用于环境条件较为恶劣的工业现场设备和户外通信设备。此外，该芯片也适用于需要临时数据存储和高速访问的测试仪器和测量设备。

IS61LV51216ALB55B