时间：2025/9/6 22:48:54
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HU52G471MRZS6 是一款由 Samsung 生产的 BGA（球栅阵列）封装的 DRAM（动态随机存取存储器）芯片。这款存储器芯片通常用于高性能计算、嵌入式系统和消费类电子产品中，具有较高的数据传输速率和较低的功耗特性。其容量为471MB，适用于对内存需求较高的应用场景。
容量：471MB
封装类型：BGA
工作电压：1.2V - 1.8V
数据速率：5200Mbps
接口类型：GDDR5
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
HU52G471MRZS6 的主要特点之一是采用了先进的 GDDR5 技术，使得数据传输速率高达 5200Mbps，显著提高了系统的数据处理能力。
该芯片采用低功耗设计，适合在功耗敏感的设备中使用，例如移动设备和便携式电子产品。
此外，该芯片具有较高的稳定性和可靠性，在恶劣的工作环境下仍能保持良好的性能。
其 BGA 封装形式不仅有助于提高电气性能，还能在高密度 PCB 设计中节省空间。
由于其高速率和低延迟的特性，HU52G471MRZS6 适用于图形处理、游戏设备、高性能计算和工业控制系统等对内存性能要求较高的场景。
HU52G471MRZS6 主要应用于需要高性能内存支持的设备，例如高端显卡、游戏主机、嵌入式系统、工业控制设备以及移动设备中的主内存扩展模块。
此外，它也广泛用于需要快速数据处理的场景，如视频渲染、图像处理和人工智能计算加速等。
由于其稳定性和高速性能，该芯片也适用于通信设备、服务器和网络设备中的缓存模块。
在消费类电子产品中，HU52G471MRZS6 常用于智能电视、平板电脑和高性能智能手机中，以提升设备的运行速度和图形处理能力。
H5TQ2G63BFR_H92C, K4E6E324HB-FC25, MT52L256M32A2B4-6A
