LNY2V472MSEG是一款由松下(Panasonic)生产的多层陶瓷电容器(MLCC)。该器件属于其广泛的表面贴装电容器产品线,专为高稳定性和高性能应用设计。这款电容器的标称电容值为4.7nF(即4700pF),额定电压为25V DC,电容容差为±20%,采用X7R介电材料,适用于需要在宽温度范围内保持稳定电性能的应用场景。其封装尺寸为1210(3225公制),适合自动化贴片生产,广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备以及电源管理电路中。LNY2V472MSEG具备良好的温度稳定性、低等效串联电阻(ESR)和高可靠性,是去耦、滤波、旁路和信号耦合等典型应用场景的理想选择。此外,该器件符合RoHS环保标准,并支持无铅焊接工艺,适应现代绿色电子制造的要求。由于其稳定的电气性能和紧凑的封装形式,LNY2V472MSEG在需要小型化与高性能兼顾的设计中具有较高的实用价值。
电容值:4.7nF
容差:±20%
额定电压:25V DC
介电材料:X7R
温度特性:-55°C 至 +125°C
封装尺寸:1210 (3225 公制)
产品类型:表面贴装多层陶瓷电容器 (MLCC)
工作温度范围:-55°C ~ +125°C
电容温度系数:±15% @ -55°C ~ +125°C
直流偏压特性:随电压升高电容值略有下降
老化特性:≤±2.5% / decade hour
最小包装数量:4000片/卷
端子类型:镍阻挡层,锡镀层
阻抗特性:低等效串联电阻 (ESR)
热循环耐受性:符合EIA标准
LNY2V472MSEG采用X7R型陶瓷介质材料,具备优异的温度稳定性,能够在-55°C至+125°C的宽温度范围内保持电容值变化在±15%以内,这使其适用于各种环境条件下的电子设备。X7R材料的非铁电特性相比Y5V等材料具有更低的电压依赖性和更小的老化率,从而确保长期运行中的性能一致性。
该电容器采用多层结构设计,通过交替堆叠陶瓷介质与内电极(通常为镍或铜)形成高密度电容结构,在有限的1210封装尺寸下实现较高的单位体积电容量。这种结构不仅提高了空间利用效率,还显著降低了等效串联电阻(ESR)和等效串联电感(ESL),有助于提升高频去耦和噪声滤波效果。
其端电极为三层结构(Cu/Ni/Sn),具备良好的可焊性和抗热冲击能力,能够承受多次回流焊过程而不损坏,适用于SMT表面贴装工艺。同时,该结构增强了机械强度,减少因板弯或热应力引起的裂纹风险。
LNY2V472MSEG具有较低的直流偏压敏感性,尽管在接近额定电压时电容值会有所下降,但在实际工作电压(如3.3V、5V或12V系统)下仍能维持大部分标称容量,确保滤波和去耦功能的有效性。
该器件通过AEC-Q200等可靠性认证的可能性较高(具体需查证最新规格书),表明其适用于汽车电子等对可靠性要求较高的领域。此外,产品符合RoHS指令,不含铅、镉等有害物质,支持环保生产工艺。松下在制造过程中实施严格的品质控制流程,确保批次间的一致性和长期供货稳定性,为大规模量产项目提供保障。
LNY2V472MSEG广泛应用于各类需要中等电容值、良好温度稳定性和高可靠性的电子电路中。在电源管理系统中,常用于DC-DC转换器的输入/输出滤波电容,有效抑制开关噪声并稳定电压输出;也可作为LDO稳压器的旁路电容,提高瞬态响应能力。
在模拟信号处理电路中,该电容器可用于级间耦合、滤波网络和参考电压去耦,因其低失真和稳定的介电特性而有助于保持信号完整性。在高速数字系统中,如微处理器、FPGA或ASIC的供电网络中,LNY2V472MSEG可作为局部去耦电容,吸收高频电流尖峰,降低电源轨道上的电压波动,从而提升系统稳定性。
通信设备中,该器件可用于射频模块的偏置电路滤波、中频滤波器匹配网络以及EMI抑制电路,帮助满足电磁兼容性要求。工业控制设备如PLC、传感器模块和电机驱动器也常采用此类电容器进行噪声抑制和电源净化。
此外,消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能家居设备和可穿戴设备中,LNY2V472MSEG凭借其小型化、高可靠性和兼容自动贴片工艺的特点,被广泛用于主板上的多种去耦和滤波场合。在汽车电子领域,包括车载信息娱乐系统、ADAS传感器模块和车身控制单元中,该电容器也能胜任严苛环境下的长期运行需求。
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"GRM32ER7EA225KA12L",
"C3225X7R1E475K160AC",
"CL31B475KOQNNNE",
"TC3225X7R25475M"
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