晶体管类型：NPN 双晶体管阵列
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功率耗散（PD）：300mW
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　增益带宽积（GBW）：100MHz
　　封装类型：TSSOP
　　引脚数：8
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

HU52D821MRX 的核心特性之一是其高频性能，过渡频率（fT）高达100MHz，使其适用于射频和中频放大器设计。该器件采用先进的硅双极工艺制造，具有良好的线性度和低噪声系数，有助于提升信号链路的整体性能。
　　其次，该晶体管阵列具备良好的热稳定性和可靠性，适用于严苛环境下的工作条件。其低噪声特性使其非常适合用于低噪声放大器（LNA）设计，在无线通信、雷达、测试仪器等应用中表现出色。
　　此外，该器件采用 TSSOP 封装，具有体积小、重量轻和易于表面贴装的优点，非常适合现代高密度 PCB 设计。其双晶体管结构可实现差分放大或并联使用以提高输出能力，增强了电路设计的灵活性。
　　最后，HU52D821MRX 具有良好的匹配特性，减少了外围匹配网络的复杂度，从而降低了整体设计难度并提高了系统稳定性。

HU52D821MRX 主要用于射频和高频电路中，如低噪声放大器（LNA）、射频接收前端、中频放大器、无线通信模块、测试与测量设备以及传感器信号调理电路。由于其优异的高频性能和低噪声特性，该器件也常用于 GPS 接收机、无线局域网（WLAN）、蓝牙模块、Zigbee 通信模块等应用中。
　　在工业自动化和仪表系统中，该晶体管阵列可用于精密信号放大和滤波电路。此外，在音频放大器的前级放大电路中，该器件也能提供良好的信号保真度和稳定性。由于其紧凑的封装形式，HU52D821MRX 在便携式电子产品中也具有广泛的应用前景。

BU52F821M, HU52D822MRX, HU52D823MRX, 2SC3355, BFQ69