HTZ110A25K 是一款高压大功率晶体管,通常用于工业电源、电力电子变换器以及高压直流(HVDC)系统中。该器件属于双极型晶体管(BJT)类别,具有高耐压和大电流承载能力,能够适应高压、高功率的应用需求。HTZ110A25K 的设计使其能够在高电压条件下保持稳定的性能,广泛应用于电力控制和转换系统中。
类型: NPN双极型晶体管(BJT)
最大集电极-发射极电压(Vceo): 1100V
最大集电极电流(Ic): 25A
最大功耗(Ptot): 300W
增益(hFE): 10 - 50
封装类型: TO-247
HTZ110A25K 拥有卓越的高压和大电流处理能力,适用于需要高功率输出的应用。其最大集电极-发射极电压(Vceo)高达1100V,使其能够在高压环境中稳定工作。最大集电极电流(Ic)为25A,具备出色的电流承载能力,适用于高功率电子系统。此外,该器件的最大功耗为300W,表明其能够在高功率负载下运行而不会出现热失效问题。
该晶体管的增益(hFE)范围为10至50,表明其具有良好的电流放大能力,尽管相较于MOSFET等器件略低,但在高压大功率应用中依然表现出色。TO-247封装设计提供了良好的散热性能,确保器件在高功率条件下的稳定运行。HTZ110A25K 还具备较高的短路耐受能力,使其在极端工作条件下仍能保持稳定,适用于工业级高可靠性要求的场景。
此外,该晶体管具有良好的开关特性,能够在高频条件下工作,虽然其开关速度不及MOSFET,但由于其高耐压和大电流能力,仍然广泛应用于中高功率的开关电源、逆变器和直流电机驱动系统中。
HTZ110A25K 主要用于高压和大功率电子系统,如工业电源、直流-直流变换器、逆变器、电动机驱动系统以及高压直流输电(HVDC)设备。在这些应用中,该器件能够有效地控制高电压和大电流负载,确保系统的稳定运行。此外,该晶体管也常用于电力电子设备中的功率放大和开关控制电路。由于其高可靠性和耐久性,HTZ110A25K 也广泛应用于需要高稳定性的工业控制系统和电源管理设备中。
HTZ110A25K的替代型号包括HTZ110A25KG、HTZ110A25KP,以及部分具有类似参数的晶体管,如IXYS的IXGH25N120和STMicroelectronics的STGW25NM60VD。