时间：2025/8/20 20:58:23
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HTP50NPV是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于需要高效率和低导通电阻的电源管理领域。这款MOSFET设计用于在高电流和高频率条件下工作，具有出色的热性能和可靠性，适用于各种工业和消费类电子设备。
类型：N沟道
最大漏极电流（ID）：50A
最大漏源电压（VDS）：100V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：约7.5mΩ（典型值，具体取决于VGS）
功率耗散（PD）：200W
工作温度范围：-55°C至175°C
HTP50NPV具有低导通电阻，这使得它在高电流应用中能够显著减少功率损耗并提高效率。其高耐压特性使其能够承受较高的电压应力，从而提高了系统的稳定性和可靠性。此外，该MOSFET采用先进的封装技术，具备良好的热管理能力，能够有效地将热量散发出去，延长器件的使用寿命。
该器件的栅极驱动设计允许在较宽的电压范围内工作，使其适用于多种驱动电路。HTP50NPV的快速开关特性使其在高频应用中表现出色，有助于减小外围电路的尺寸和成本。同时，该器件的封装设计支持表面贴装，简化了PCB布局并提高了装配效率。
HTP50NPV还具备良好的短路耐受能力，能够在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏。这种特性对于需要应对突发负载变化的应用非常重要，例如电机控制和电源转换系统。
HTP50NPV常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统、逆变器以及工业自动化设备中的功率控制部分。此外，它还可用于高功率LED照明、汽车电子系统以及消费类电子产品中的高效能电源管理模块。
IRF1405, STP55NF06, FDP50N10, IPP50N10N3G
