GT2625 时间：2025/9/12 12:53:32 阅读：9

GT2625是一款由Giantec Semiconductor生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件采用先进的沟槽技术，提供了较低的导通电阻（RDS(on)）和高效的开关性能。GT2625具有高耐压和大电流承载能力，适合用于各种高效率、高密度的电源系统。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：25V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：5.5A
　　导通电阻（RDS(on)）：26mΩ（典型值）
　　功率耗散（PD）：1.5W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：SOT-23

特性

GT2625采用了先进的沟槽式MOSFET技术，使其在25V的漏源电压下能够实现非常低的导通电阻（RDS(on)）和高效的导通性能。该器件的RDS(on)典型值为26mΩ，这显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。
　　GT2625的连续漏极电流为5.5A，具备较高的电流承载能力，适用于中等功率的开关应用。同时，其最大栅源电压为±12V，确保了在常见的驱动条件下器件的安全运行。
　　该MOSFET的封装形式为SOT-23，体积小巧，适合高密度的PCB布局设计。此外，其功率耗散为1.5W，在正常工作条件下可以实现良好的热稳定性，适用于多种散热条件受限的应用场景。
　　GT2625的工作温度范围为-55°C至150°C，具备良好的温度适应性和稳定性，能够在各种恶劣的工作环境中保持可靠运行。

应用

GT2625广泛应用于各类电源管理系统和功率转换设备中，例如DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路以及LED照明驱动电路等。由于其低导通电阻和高效的开关性能，GT2625特别适合用于需要高效率和小尺寸封装的便携式电子设备中。此外，该器件还可用于电源管理IC（PMIC）中的功率开关元件，提升整体系统的能效表现。