型号：HTP50MWR
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：500V
　　最大连续漏极电流（Id）：50A
　　最大脉冲漏极电流（Idm）：200A
　　最大功耗（Pd）：300W
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值65mΩ @ Vgs=10V
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：约4500pF
　　输出电容（Coss）：约1000pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值50ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-247

HTP50MWR具有多项优异的技术特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体能效，尤其在大电流负载条件下优势更为明显。这一特性使得器件在持续工作时发热量更小，有助于简化散热设计并延长系统寿命。
　　其次，HTP50MWR具备出色的开关性能。由于采用了先进的沟道设计和低寄生参数优化，其输入电容和输出电容均控制在合理范围内，从而减少了开关过程中的能量损耗。同时，较短的反向恢复时间（trr）有效抑制了体二极管在高频开关中的反向恢复电流尖峰，降低了电磁干扰（EMI）风险，并提升了电路的稳定性。
　　再者，该器件拥有较强的热稳定性和过载承受能力。TO-247封装提供了良好的热传导路径，结合内部芯片的热分布优化设计，确保在高温环境下仍能安全运行。其最大结温可达150°C，支持宽范围的环境温度应用，适合部署在工业级严苛环境中。
　　此外，HTP50MWR具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态电压冲击下维持结构完整性，避免因电压突变导致的器件损坏。这种鲁棒性对于电源系统中的异常工况保护至关重要，例如在电机启停或负载突变时提供额外的安全裕度。
　　最后，该器件的栅极驱动特性经过优化，兼容主流驱动IC的输出电平，易于集成到现有控制系统中。其栅极阈值电压适中，既能防止误触发，又能确保快速开启，平衡了噪声免疫与响应速度之间的关系。综合来看，HTP50MWR是一款集高效、可靠、耐用于一体的功率MOSFET器件，适用于对性能要求较高的电力电子系统。

HTP50MWR广泛应用于多种高功率和高效率需求的电子系统中。在开关电源（SMPS）领域，它常用于PFC（功率因数校正）电路和主功率变换级，凭借其低导通电阻和快速开关特性，显著提升电源转换效率，满足能源之星等能效标准的要求。
　　在工业自动化设备中，HTP50MWR被用于电机驱动器的H桥或半桥拓扑结构中，作为功率开关元件，控制直流或交流电机的转速与方向。其高电流承载能力和热稳定性确保了长时间运行下的可靠性，适用于伺服系统、变频器和机器人控制等关键场合。
　　在可再生能源系统中，如太阳能光伏逆变器和风力发电变流器，HTP50MWR用于DC-AC转换环节，将电池或光伏板产生的直流电高效转换为交流电并入电网。其高耐压特性和抗雪崩能力使其能够应对光照变化或风速波动带来的电压电流瞬变，保障系统安全。
　　此外，在电动汽车充电桩和车载电源系统中，HTP50MWR可用于OBC（车载充电机）和DC-DC转换模块，支持高功率密度设计，满足新能源汽车对小型化、轻量化和高效率的综合需求。
　　在UPS（不间断电源）和通信电源系统中，HTP50MWR同样发挥着重要作用，作为核心开关器件参与升压、降压或隔离变换拓扑，确保关键设备在断电或电压不稳情况下仍能正常运行。其高可靠性和长寿命特性降低了维护成本，提升了系统可用性。

STP55NF06L
　　IRFP4668
　　FQP50N50
　　IXFH50N50P3