电容值：22 pF
　　容差：±0.5 pF
　　额定电压：500 V
　　温度系数：C0G (NP0)
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装类型：表面贴装（SMD）
　　尺寸：1812（4532 公制）

KCM55TR71H226MH01# 陶瓷电容器采用了先进的多层陶瓷技术，确保了在广泛温度和频率范围内保持稳定的电容值。其C0G（NP0）温度系数提供了极低的电容变化率，通常在±30 ppm/°C以内，使其非常适合高精度电路应用。此外，该电容器具有优异的高频性能和低ESR（等效串联电阻），能够有效降低电路中的噪声和干扰。其额定电压为500 V，适用于需要高电压稳定性的应用场合。
　　这款电容器的封装形式为表面贴装（SMD），尺寸为1812（4532公制），便于自动化生产和高密度电路布局。其设计符合RoHS标准，无铅且环保。此外，KCM55TR71H226MH01# 具有良好的机械强度和耐热性，能够在严苛的环境条件下保持长期稳定性和可靠性。

该电容器常用于射频（RF）电路、滤波器、振荡器以及高精度模拟电路中，以确保信号的稳定性和减少噪声干扰。其高电压额定值也使其适用于电源管理和转换设备，如DC-DC转换器和电源供应器中的滤波电路。此外，KCM55TR71H226MH01# 也适用于测试和测量设备、工业控制系统以及通信设备中的关键电路部分。

VJ1812Y220JXHBC, C1812C220J5GACTU