时间：2025/7/12 4:12:18
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HT50H是一款高性能的功率MOSFET，主要应用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能等特点，能够有效降低功耗并提高系统效率。
型号：HT50H
类型：N沟道增强型MOSFET
封装形式：TO-220
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
最大连续漏极电流：40A
最大脉冲漏极电流：100A
导通电阻：3mΩ
栅极电荷：30nC
开关时间：ton=12ns, toff=35ns
工作结温范围：-55℃至+175℃
HT50H具有非常低的导通电阻（仅3mΩ），这有助于减少传导损耗，特别是在大电流应用中表现尤为显著。
其快速的开关速度（开启时间12ns，关闭时间35ns）使得它非常适合高频开关应用，可以有效降低开关损耗。
器件的最大漏源电压为60V，适合多种低压系统的应用需求。同时，最大连续漏极电流可达40A，峰值脉冲电流更是高达100A，保证了其在高负载条件下的稳定运行。
此外，HT50H的工作结温范围广泛，从-55℃到+175℃，适应各种恶劣环境条件。该器件还具备出色的热性能，可确保长时间工作的可靠性。
HT50H主要应用于以下领域：
1. 高频开关电源中的功率转换。
2. DC-DC转换器中的同步整流。
3. 电机驱动电路中的开关元件。
4. 各类负载开关应用。
5. 电池管理系统中的保护电路。
由于其优异的性能和可靠性，HT50H特别适合对效率和散热要求较高的场景。
IRF540N
FDP55N06L
STP55NF06L
