HT0440N4 时间：2025/8/10 13:41:45 阅读：6

HT0440N4 是一款高压、高频、N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动、LED照明以及各种高频功率转换应用中。该器件由华泰半导体（Huatian Semiconductor）生产，具有低导通电阻、高耐压能力和优异的热稳定性，适合在高效率、高密度的电源系统中使用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：400V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：12A
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值0.32Ω（@Vgs=10V）
　　功率耗散（Pd）：80W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220、TO-252（DPAK）等

特性

HT0440N4具有多项优异的电气和热性能，适用于各种高要求的功率应用。
　　首先，该器件的漏源耐压（Vds）高达400V，使其能够在高电压环境下稳定工作，适用于各种AC/DC电源转换系统。栅源电压容限为±20V，具有较强的抗过压能力，提高了器件的可靠性。
　　其次，HT0440N4的导通电阻（Rds(on)）典型值为0.32Ω，确保在导通状态下具有较低的功率损耗，从而提高电源转换效率。这对于节能和散热设计尤为重要。
　　该器件的连续漏极电流为12A，具备良好的电流承载能力，适合用于中高功率的电源模块和电机驱动电路。最大功率耗散为80W，结合良好的封装散热设计，可在高负载条件下稳定运行。
　　HT0440N4采用TO-220或TO-252（DPAK）封装形式，具备良好的热稳定性和机械强度，适用于工业级温度范围（-55°C ~ +150°C），可在各种恶劣环境下使用。
　　此外，该MOSFET具有快速开关特性，适用于高频开关应用，如PFC（功率因数校正）电路、LLC谐振变换器和同步整流电路等。

应用

HT0440N4广泛应用于多个领域，包括但不限于：
　　? 开关电源（SMPS）
　　? AC/DC电源适配器
　　? DC/DC转换器（如Buck、Boost、Flyback拓扑）
　　? 电机驱动与控制电路
　　? LED驱动电源
　　? 家用电器（如电磁炉、变频空调）
　　? 工业自动化设备与电源模块
　　? 新能源系统（如太阳能逆变器、储能系统）
　　由于其高耐压、低导通损耗和良好的热稳定性，HT0440N4特别适用于需要高效、高可靠性的电源设计。