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BF421-AP 发布时间 时间:2025/7/22 6:21:59 查看 阅读:5

BF421-AP是一款常用的N沟道增强型场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于电源管理、功率控制和电子开关等场景。该器件采用先进的制造工艺,具有优异的导通电阻特性、高耐压能力以及良好的热稳定性。BF421-AP通常采用TO-220或TO-252(DPAK)封装形式,适合中高功率应用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流(ID):4.2A
  最大漏源电压(VDS):60V
  最大栅源电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):约0.85Ω(典型值)
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装类型:TO-220 / TO-252 (DPAK)

特性

BF421-AP具有较低的导通电阻,这使得在导通状态下功率损耗更低,提高了系统的整体效率。此外,该器件的高栅极击穿电压(±20V)提供了更强的抗过压能力,增强了在复杂电路环境中的稳定性。
  其N沟道增强型结构确保了在栅极电压驱动下能快速导通和关断,适用于高频开关应用。TO-220或TO-252封装形式不仅具备良好的散热性能,还便于安装在散热片上,进一步提升器件在高功率负载下的可靠性。
  BF421-AP的工作温度范围宽广,从-55°C到150°C,使其适用于各种恶劣工作环境,如工业控制、汽车电子和消费类电子产品。此外,该MOSFET具备较高的抗静电能力和良好的短路承受能力,从而提高了系统的稳定性和使用寿命。
  在驱动方面,BF421-AP可与常见的MOSFET驱动电路兼容,简化了设计流程,降低了外围电路的复杂度。其快速开关特性也使其适用于DC-DC转换器、电机控制和负载开关等应用领域。

应用

BF421-AP主要应用于电源管理系统、DC-DC转换器、电机驱动电路、电子开关、LED照明控制、电池管理系统(BMS)以及各种工业自动化设备。由于其良好的热稳定性和高效能表现,该器件也常用于汽车电子系统,如车载充电器、电动工具和车载逆变器等。此外,BF421-AP还可用于消费类电子产品中的功率控制模块,如智能家电、电源适配器和UPS不间断电源等。

替代型号

IRFZ44N, FQP4N60, STP4NK60Z, IRLZ44N

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BF421-AP参数

  • 标准包装2,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)500mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)300V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)600mV @ 5mA,30mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)50 @ 25mA,20V
  • 功率 - 最大830mW
  • 频率 - 转换60MHz
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
  • 供应商设备封装TO-92-3
  • 包装带盒(TB)
  • 其它名称497-5718-3