类型：肖特基二极管
　　工作频率：最高可达1 GHz
　　最大正向电流：100 mA
　　反向击穿电压：5 V
　　电容（在1 MHz）：0.3 pF
　　封装类型：SOT-23
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

HSMS2865-TR1G具有优异的射频性能，适用于高频应用。其肖特基结构提供较低的结电容和快速的开关特性，使其在射频信号处理中表现出色。该器件的低电容（典型值为0.3 pF）有助于减少高频信号的插入损耗，提高电路的响应速度。此外，HSMS2865-TR1G具有良好的线性度和低失真特性，适合用于射频检测器和混频器等对信号完整性要求较高的场景。其采用SOT-23封装，便于自动化装配和小型化设计，适用于现代通信设备、测试仪器和无线模块等应用领域。器件的正向电流额定值为100 mA，适用于中等功率信号处理。同时，其反向击穿电压为5V，确保在一般射频应用中的稳定性。整体来看，HSMS2865-TR1G是一款性能稳定、应用广泛的射频肖特基二极管。
　　该器件的另一个显著特点是其高可靠性和环境适应性。其工作温度范围为-55°C至+150°C，适合在各种严苛环境下运行，如工业控制系统、汽车电子和户外通信设备。此外，HSMS2865-TR1G的制造工艺符合RoHS标准，支持绿色环保的电子设计。

HSMS2865-TR1G广泛应用于射频信号检测、混频器、调制解调器、功率放大器偏置电路、无线基础设施、测试与测量设备、物联网模块以及无线传感器网络等。此外，该器件也适用于低噪声射频前端设计和便携式通信设备。

HSMS285C-TR1G, HSMS2852-TR1G, BB109S, 1N5711