类型：肖特基二极管
　　工作频率：最高可达10 GHz
　　正向电流（IF）：20 mA
　　反向击穿电压（VR）：5 V
　　结电容（Cj）：0.2 pF @ 1 MHz
　　正向压降（VF）：320 mV @ 1 mA
　　封装类型：SOT-23
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

HSMS2863TR1G 采用先进的肖特基二极管技术，具有优异的高频性能和低失真特性。其低正向压降和小结电容使其非常适合用于射频信号处理应用。该器件的封装形式为SOT-23，便于表面贴装，适用于自动化生产流程。
　　此外，HSMS2863TR1G 在较宽的温度范围内具有稳定的电气性能，适用于工业级和通信级设备。其紧凑的封装设计有助于节省电路板空间，提高系统集成度。由于其良好的线性度和快速响应能力，该器件在无线通信系统中常用于信号检测和混频操作。
　　在可靠性方面，HSMS2863TR1G 经过严格测试，符合多项工业标准，适用于高要求的应用环境。其设计确保了在高频率下的稳定性能，适用于从低频到微波频段的各种应用场景。

HSMS2863TR1G 广泛应用于射频和微波电子系统中，如无线基站、移动通信设备、测试仪器、频谱分析仪、射频检波器和混频器模块等。由于其优异的高频特性和低失真性能，该器件也常用于雷达系统、卫星通信设备和射频功率测量装置中。
　　在实际应用中，HSMS2863TR1G 可作为射频信号检测器，用于测量射频信号的幅度；在混频器电路中，它可用于将两个不同频率的信号进行混合，生成和频或差频信号；此外，该器件也可用于射频开关和限幅器设计，确保系统在高功率条件下的稳定运行。
　　在工业和消费类电子产品中，HSMS2863TR1G 也常用于无线传感器网络、物联网（IoT）设备和射频识别（RFID）系统中，作为信号处理和数据调制的关键元件。

HSMS2852, HSMS2850, BB406, BAR64