HSMS-C670 时间：2025/12/28 8:38:58 阅读：9

HSMS-C670是安华高（Broadcom）推出的一款高性能、低功耗的硅锗肖特基二极管，专为高频和微波应用设计。该器件采用先进的硅锗（SiGe）工艺制造，具备优异的非线性特性与快速响应能力，广泛应用于射频检波、混频、调制解调以及信号检测等场景。HSMS-C670属于HSMS系列中的零偏置肖特基二极管产品线，其无需外部偏置电压即可实现高效的信号整流功能，极大简化了电路设计并降低了系统功耗。该器件封装在小型化的表面贴装封装中，适合高密度PCB布局，并具有良好的温度稳定性和长期可靠性。由于其出色的灵敏度和宽动态范围，HSMS-C670常被用于无线通信系统、物联网设备、RFID读写器、雷达传感器以及便携式测试仪器中。
　　该二极管的关键优势之一是其在极低输入功率下仍能保持较高的检波效率，使其成为弱信号检测应用的理想选择。此外，HSMS-C670还具备良好的ESD耐受能力，在实际使用中提高了系统的鲁棒性。作为一款成熟且经过市场验证的射频二极管，它在全球范围内被广泛采用，并兼容多种自动化装配工艺，便于大规模生产。

参数

型号：HSMS-C670
　　类型：零偏置硅锗肖特基二极管
　　封装形式：SOT-23
　　结电容（Typ）：0.28pF @ 1MHz
　　串联电阻（Rs）：18Ω
　　截止频率：高达10GHz
　　工作温度范围：-55℃ ~ +125℃
　　存储温度范围：-65℃ ~ +150℃
　　最大正向电流：10mA
　　最大反向电压：4V
　　灵敏度：典型值为700mV/mW（在915MHz）

特性

HSMS-C670的核心特性在于其零偏置操作能力，这意味着该二极管可以在没有外部直流偏置的情况下对射频信号进行高效检波。这一特性极大地简化了射频前端的设计复杂度，减少了电源需求和整体功耗，特别适用于电池供电或能量采集类应用。其内部采用硅锗肖特基结构，结合优化的势垒高度设计，实现了在低输入功率下的高灵敏度响应。实验数据显示，在输入功率低至-20dBm时，HSMS-C670仍能输出可检测的直流电压，表现出卓越的小信号处理能力。
　　该器件具有非常低的结电容（典型值0.28pF），这使得它在高频环境下依然保持良好的阻抗匹配性能，适用于高达10GHz的微波频段应用。同时，较低的串联电阻（约18Ω）有助于减小信号传输过程中的损耗，提升整体检波效率。此外，HSMS-C670具备宽动态输入范围，能够在从几微瓦到数毫瓦的功率范围内线性响应，满足不同应用场景的需求。
　　在环境适应性方面，HSMS-C670支持-55℃至+125℃的工作温度范围，确保在极端气候条件下的稳定运行。其SOT-23封装不仅体积小巧，便于集成于紧凑型设备中，而且符合RoHS环保标准，适用于无铅焊接工艺。该器件还具备一定的静电放电（ESD）防护能力，增强了在实际装配和使用过程中的可靠性。综合来看，HSMS-C670以其高灵敏度、低功耗、高频兼容性和易于集成的特点，成为现代无线传感与通信系统中不可或缺的关键元件。

应用

HSMS-C670广泛应用于需要高灵敏度射频检测的场合。典型用途包括无线射频识别（RFID）系统中的标签信号解调与能量收集，尤其是在UHF频段（如860-960MHz）的应用中表现突出。在物联网（IoT）设备中，该器件可用于远距离无线信号的接收与唤醒机制设计，实现超低功耗待机状态下的事件触发。此外，HSMS-C670也常见于便携式射频场强仪、电磁泄漏检测仪和教学实验平台中，作为射频信号的检波单元。
　　在通信系统中，它可以用于AM/FM调制信号的包络检波，尤其适合短距离无线通信协议如Sub-GHz、ZigBee、LoRa等系统的接收端设计。由于其良好的线性度和温度稳定性，也被用于雷达回波信号的检测与处理模块中，特别是在低成本多普勒雷达传感器中广泛应用。另外，在自动测试设备（ATE）和射频探头设计中，HSMS-C670因其快速响应和高重复精度而受到青睐。
　　值得一提的是，该器件还可用于构建无源无线传感器节点，通过捕获环境中的射频能量为微型传感器供电，从而实现完全无电池的操作模式。这种能量采集（Energy Harvesting）应用在智能建筑、工业监控和农业传感等领域展现出巨大潜力。总之，HSMS-C670凭借其独特的电气性能和灵活的适用性，已成为众多高频模拟与射频系统设计师的首选检波器件之一。