时间：2025/8/24 23:00:44
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FDD8610Z 是一款由 Fairchild（飞兆半导体，现为安森美半导体的一部分）推出的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件。该器件主要用于高功率、高效率的电源管理系统，例如 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关等应用。FDD8610Z 采用 N 沟道增强型 MOSFET 技术，具备较低的导通电阻和高电流承载能力，适合用于需要高效率和小尺寸封装的电源设计。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：20V
连续漏极电流（ID）：10A
导通电阻（RDS(on)）：最大 8.6mΩ @ VGS=10V
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：PowerT6
功率耗散（PD）：2.5W
FDD8610Z 的设计采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，使其在导通电阻和开关性能之间达到了良好的平衡。该器件的低导通电阻有助于降低导通损耗，提高电源系统的整体效率。此外，FDD8610Z 的高电流承载能力和耐高温性能使其适用于高负载条件下的工作环境。PowerT6 封装形式不仅提供了良好的散热性能，还具有较小的 PCB 占用空间，适合高密度电源设计。该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持 4.5V 至 20V 的工作电压，增强了其在不同应用中的灵活性。
FDD8610Z 还具备良好的热稳定性和短路保护能力，能够在突发的过载或故障条件下保持稳定运行。这使得它在汽车电子、工业电源、便携式设备电源管理等对可靠性要求较高的应用场景中表现出色。其快速开关特性也有助于减少开关损耗，提高电源系统的动态响应能力。
FDD8610Z 广泛应用于多种电源管理系统，包括但不限于 DC-DC 降压和升压转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其优异的导通特性和紧凑的封装设计，FDD8610Z 也常用于笔记本电脑、服务器电源、LED 照明驱动以及汽车电子中的电机控制和配电系统。
FDD8610Z 的替代型号包括 FDD8612Z、FDMS86101、SiSS64DN、IRF7413 和 NVTFS5C410NL
