您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > HSMS-8209-TR1

HSMS-8209-TR1 发布时间 时间:2025/9/24 13:22:16 查看 阅读:13

HSMS-8209-TR1 是安华高科技(Avago Technologies,现为Broadcom的一部分)生产的一款表面贴装肖特基势垒二极管,专为高频、低电压、低电流应用而设计。该器件采用双通道配置,包含两个独立的肖特基二极管,封装在紧凑的微型塑料封装中(SOD-523),适用于空间受限的便携式电子设备。HSMS-8209-TR1 以其快速开关特性、低正向电压降和优异的射频检波性能著称,广泛应用于无线通信系统中的信号检测、包络检波、混频以及电压钳位等场景。
  该器件的工作频率范围宽,可在高达数GHz的频率下保持良好的性能,因此特别适合用于蜂窝通信、Wi-Fi、蓝牙、GPS和其他射频接收模块中。其低功耗特性使其成为电池供电设备的理想选择。此外,HSMS-8209-TR1 具有良好的温度稳定性,能够在较宽的环境温度范围内可靠运行。由于其无铅封装和符合RoHS标准的设计,也满足现代电子产品对环保的要求。

参数

类型:双通道肖特基二极管
  封装/包装:SOD-523
  工作温度范围:-65°C ~ 125°C
  反向电压(V_R):7V
  平均整流电流(I_O):最大250mA
  正向电压(V_F):典型值320mV(在1mA时)
  反向漏电流(I_R):最大5μA(在7V时)
  结电容(C_j):典型值0.7pF(在1MHz,4V下)
  反向恢复时间(t_rr):近似为零(肖特基特性)
  功率耗散(P_D):最大200mW
  安装类型:表面贴装(SMD)

特性

HSMS-8209-TR1 的核心优势在于其基于肖特基势垒技术的物理结构,这种结构使得它具备非常低的正向导通电压,通常在320mV左右(测试条件为1mA),远低于传统PN结二极管的约700mV。这一特性显著降低了信号通过时的能量损耗,提高了系统的整体效率,尤其是在微弱信号处理和低电压工作的射频前端电路中具有重要意义。由于其低开启电压,该器件能够有效检测幅度较小的交流或射频信号,实现高灵敏度的包络检波功能。
  该器件的结电容非常小,典型值仅为0.7pF,在高频环境下表现出较低的阻抗,有利于射频信号的高效传输与响应。同时,由于肖特基二极管本质上属于多数载流子器件,不存在少数载流子存储效应,因此其反向恢复时间几乎可以忽略不计,这使得HSMS-8209-TR1 在高速开关应用中表现出色,避免了因反向恢复引起的信号失真或瞬态干扰。
  双通道设计允许用户将两个独立的二极管用于不同的功能,例如在一个通道中进行信号检波,另一个用于电压钳位或温度补偿。此外,SOD-523封装体积小巧,尺寸约为1.2mm x 0.8mm x 0.6mm,非常适合高密度PCB布局,有助于缩小终端产品的整体尺寸。该器件还具备良好的热稳定性和可靠性,在高温环境(最高结温可达125°C)下仍能保持稳定的电气性能。所有材料均符合RoHS指令要求,并采用无卤素绿色制造工艺,适用于消费类电子、工业控制和汽车电子等多种领域。

应用

HSMS-8209-TR1 广泛应用于需要高性能、小尺寸和低功耗的射频和模拟电路中。最常见的用途之一是作为射频信号检波器,特别是在无线接收机中用于解调调幅(AM)信号或提取射频包络信息,如在RFID读卡器、远程无钥匙进入系统(RKE)、无线传感器网络和IoT设备中。
  该器件也可用作混频器中的非线性元件,在低功率射频混频电路中实现频率转换功能。由于其快速响应和低噪声特性,适合用于构建简单的自给式零偏置检波电路,无需外部电源即可工作,从而进一步降低系统复杂性和功耗。
  在电源管理方面,HSMS-8209-TR1 可用于精密电压参考、温度传感电路或信号电平钳位,防止敏感输入端口受到过压冲击。此外,它还可用于高速数字电路中的信号整形和保护,例如在数据线路上抑制负向电压尖峰。
  由于其出色的高频响应和稳定性,该器件被广泛集成于智能手机、平板电脑、可穿戴设备、GPS模块、蓝牙耳机、无线充电控制器以及各类便携式通信设备中。在测试与测量仪器中,它也常用于构建低成本、高可靠性的射频探测头或场强指示电路。

替代型号

[
   "HSMS-8209",
   "HSMS-280x系列(如HSMS-2800, HSMS-2820)",
   "SMS7621-079LF",
   "BAT54系列(功能相近但结构不同)"
  ]

HSMS-8209-TR1推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

HSMS-8209-TR1资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

HSMS-8209-TR1参数

  • 数据列表HSMS-8101, 8202/07/09
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭RF 二极管
  • 系列-
  • 二极管类型肖特基 - 交叉
  • 电压 - 峰值反向(最大)4V
  • 电流 - 最大-
  • 电容@ Vr, F0.26pF @ 0V,1MHz
  • 电阻@ Vr, F14 欧姆 @ 5mA,1MHz
  • 功率耗散(最大)75mW
  • 封装/外壳TO-253-4,TO-253AA
  • 供应商设备封装SOT-143-4
  • 包装带卷 (TR)