类型：肖特基二极管
　　最大正向电流：20 mA
　　最大反向电压：5 V
　　正向电压降：最大350 mV @ 1 mA
　　反向漏电流：最大100 nA @ 5 V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23

HSMS-8201-TR1G 具有多个关键特性，使其适用于高频和高速开关应用。首先，该器件的正向电压降非常低，最大仅为350 mV，在1 mA的工作电流下能够显著降低功耗并提高能效。这种低正向电压降对于低电压和低功耗设计尤为重要。其次，该肖特基二极管的反向漏电流极低，最大仅为100 nA，在5 V的反向电压下仍能保持良好的阻断性能，这有助于提高电路的稳定性和可靠性。
　　此外，HSMS-8201-TR1G具有高速开关特性，适用于需要快速响应的电路应用。其SOT-23封装形式不仅体积小巧，而且具备良好的热管理和电气性能，适合在高密度PCB布局中使用。该器件的工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于各种恶劣环境条件下的工业级应用。
　　在制造工艺方面，HSMS-8201-TR1G采用了安华高先进的半导体技术，确保其在高频环境下仍能保持稳定的性能。其肖特基结构有效减少了载流子存储效应，从而降低了开关损耗，提高了响应速度。这些特性使得该二极管在无线通信、射频检测、功率整流和信号处理等应用中表现出色。

HSMS-8201-TR1G 主要用于高频和高速开关电路中。它常用于无线通信系统中的射频信号检测、解调和功率监测。由于其低正向电压降和快速响应时间，它也非常适合用于低电压电源管理电路中的整流和防反接保护。此外，该器件在测试和测量设备、传感器接口电路、工业控制系统以及消费类电子产品中都有广泛应用。
　　具体应用包括但不限于：射频能量检测、低功耗整流器、高速开关电路、微波检测器、电池供电设备中的电源管理、无线充电系统、RFID读写器和传感器网络中的信号处理单元。

HSMS-282C, HSMS-285C, BAT64-04W