时间：2025/9/2 17:19:22
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JX2N1879A是一种N沟道功率MOSFET，常用于高电压和高电流的开关应用中。该器件具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于电源管理、电机控制和工业自动化等领域。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：连续3A，脉冲12A
漏源电压：100V
栅源电压：±20V
导通电阻：最大0.25Ω
工作温度范围：-55°C至150°C
JX2N1879A具有较低的导通电阻，能够有效降低功率损耗，提高系统效率。其高开关速度使其适用于高频应用，同时具有较好的热稳定性和可靠性。该器件还具有较高的电流承受能力和良好的抗过载能力。
该MOSFET采用标准TO-220封装，便于安装和散热。其设计符合工业标准，可广泛应用于各种电源和控制电路中。此外，JX2N1879A还具有较强的抗静电能力，能够在恶劣环境中稳定工作。
在实际应用中，JX2N1879A可用于DC-DC转换器、电机驱动器、负载开关和电源管理系统。其优异的性能使其成为许多高要求电子设备的首选元件。
JX2N1879A广泛应用于电源管理、电机控制、工业自动化和消费电子产品中。具体应用包括DC-DC转换器、电池管理系统、负载开关、LED驱动器以及各种需要高电压和高电流开关的场合。
2N6755, IRF510, FDPF10N20
