HSMS-286R-TR2G 是一款由安森美半导体(onsemi)设计的表面贴装型硅PIN二极管,主要用于高频和射频应用。该器件具有低失真、快速响应时间以及优异的线性度,非常适合用于信号检测、功率控制、衰减调节和RF开关等场景。HSMS-286R-TR2G 采用SOT-23-6封装,便于在高密度PCB设计中使用,并具备优良的温度稳定性和可靠性。
型号:HSMS-286R-TR2G
类型:PIN二极管
封装形式:SOT-23-6
工作频率范围:100 MHz 至 10 GHz
最大输入功率:20 dBm
正向电流(IF):10 mA
反向电压(VR):50 V
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
存储温度范围:-55°C 至 +150°C
结电容(Cj):0.35 pF @ 5V
隔离度(Isolation):25 dB @ 1 GHz
插入损耗(Insertion Loss):0.25 dB @ 1 GHz
HSMS-286R-TR2G 以其高性能的射频特性在通信系统中广泛应用。首先,其工作频率范围覆盖从100 MHz到10 GHz,这使得它适用于多种无线通信标准,包括蜂窝网络、Wi-Fi、蓝牙、ZigBee以及其他无线基础设施应用。该器件的低插入损耗(典型值为0.25 dB @ 1 GHz)和高隔离度(25 dB @ 1 GHz)确保了在射频开关和控制电路中具有良好的信号完整性。
此外,该PIN二极管具备较低的结电容(0.35 pF @ 5V),有助于减少高频信号的失真和延迟,提高系统的响应速度和稳定性。HSMS-286R-TR2G 的正向电流额定值为10 mA,允许在低功耗条件下运行,适合电池供电设备和绿色电子产品设计。
这款器件的SOT-23-6封装形式不仅节省空间,还简化了PCB布局和自动化装配流程。其宽泛的工作温度范围(-55°C至+150°C)确保了在极端环境下的可靠运行,适用于工业级和汽车级应用。
由于其优异的线性度和快速恢复时间,HSMS-286R-TR2G 在射频功率控制、衰减调节、信号检测、自动增益控制(AGC)电路和射频测试设备中表现尤为出色。
HSMS-286R-TR2G 主要用于以下应用场景:
1. 射频信号控制:用于射频开关、衰减器、自动增益控制(AGC)电路,确保信号在不同强度下保持稳定输出。
2. 无线通信系统:适用于蜂窝基站、Wi-Fi接入点、蓝牙模块、ZigBee设备等,用于射频信号路径的切换和调节。
3. 测试与测量设备:用于射频信号分析仪、频谱仪、信号发生器等设备中的信号检测和控制模块。
4. 工业控制系统:在工业自动化、远程监控设备中作为高频信号处理元件。
5. 汽车电子:适用于车载通信系统、远程信息处理系统、车载娱乐系统中的射频控制部分。
HSMS-285C-TR2G, HSMS-2852-TR2G, HSMS-2862-TR2G