STP11NB40是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于需要高效率和高可靠性的功率转换系统中。该器件采用先进的技术,具备低导通电阻、高耐压能力和优异的热稳定性,适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等多种应用场景。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(VDS):400V
连续漏极电流(ID)@25°C:11A
导通电阻(RDS(on)):0.55Ω(典型值)
栅极电荷(Qg):35nC
封装形式:TO-220、TO-262、D2PAK
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
STP11NB40具备多项优良特性,适用于高要求的功率电子系统。其主要特性包括:
? 低导通电阻(RDS(on)):0.55Ω,可降低导通损耗,提高系统效率。
? 高耐压能力:漏源电压额定值为400V,适用于中高功率应用。
? 高电流容量:连续漏极电流为11A,适用于多种负载条件。
? 快速开关特性:栅极电荷仅为35nC,有助于减少开关损耗并提高响应速度。
? 优异的热稳定性:能够在-55°C至+150°C的宽温度范围内稳定工作,适应各种严苛环境。
? 高可靠性设计:具备良好的短路耐受能力和抗静电能力,提升了器件的长期可靠性。
? 封装多样化:提供TO-220、TO-262和D2PAK等多种封装形式,便于根据应用需求进行选择和安装。
STP11NB40适用于多种功率电子系统,包括:
? 电源管理系统:如AC-DC电源、开关电源(SMPS)和电源适配器。
? DC-DC转换器:用于电动汽车、工业自动化设备和通信设备中的电压调节。
? 电机控制:适用于电动工具、家用电器和工业电机驱动器中的功率开关控制。
? 负载开关:用于电池管理系统、电源管理模块和智能电源分配系统中的高效开关控制。
? LED照明:在LED驱动电源中用于提高能效和稳定性。
? 充电管理:适用于电池充电器和能量回收系统。
STP11NM50、STP11NK50Z、STP8NK40Z、STP9NK40Z