STP11NB40 时间：2025/7/22 7:50:48 阅读：5

STP11NB40是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于需要高效率和高可靠性的功率转换系统中。该器件采用先进的技术，具备低导通电阻、高耐压能力和优异的热稳定性，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等多种应用场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：400V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：11A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.55Ω（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：35nC
　　封装形式：TO-220、TO-262、D2PAK
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C

特性

STP11NB40具备多项优良特性，适用于高要求的功率电子系统。其主要特性包括：
　　? 低导通电阻（RDS(on)）：0.55Ω，可降低导通损耗，提高系统效率。
　　? 高耐压能力：漏源电压额定值为400V，适用于中高功率应用。
　　? 高电流容量：连续漏极电流为11A，适用于多种负载条件。
　　? 快速开关特性：栅极电荷仅为35nC，有助于减少开关损耗并提高响应速度。
　　? 优异的热稳定性：能够在-55°C至+150°C的宽温度范围内稳定工作，适应各种严苛环境。
　　? 高可靠性设计：具备良好的短路耐受能力和抗静电能力，提升了器件的长期可靠性。
　　? 封装多样化：提供TO-220、TO-262和D2PAK等多种封装形式，便于根据应用需求进行选择和安装。

应用

STP11NB40适用于多种功率电子系统，包括：
　　? 电源管理系统：如AC-DC电源、开关电源（SMPS）和电源适配器。
　　? DC-DC转换器：用于电动汽车、工业自动化设备和通信设备中的电压调节。
　　? 电机控制：适用于电动工具、家用电器和工业电机驱动器中的功率开关控制。
　　? 负载开关：用于电池管理系统、电源管理模块和智能电源分配系统中的高效开关控制。
　　? LED照明：在LED驱动电源中用于提高能效和稳定性。
　　? 充电管理：适用于电池充电器和能量回收系统。