HSMS-286P-TR1 是安华高科技(Avago Technologies)推出的一款表面贴装肖特基二极管混频器模块。该器件主要用于射频(RF)和微波频率转换应用,适用于需要高线性度和低失真的通信系统。HSMS-286P-TR1 采用无引线陶瓷封装(LLCC),具备良好的高频性能和稳定性,适用于从几百MHz到数GHz频段的信号混频处理。
类型:肖特基二极管混频器
封装类型:表面贴装(LLCC)
工作频率范围:50 MHz 至 3 GHz
本振(LO)输入频率范围:50 MHz 至 3 GHz
射频(RF)输入频率范围:50 MHz 至 3 GHz
中频(IF)输出频率范围:DC 至 1 GHz
LO 输入功率:+7 dBm
转换损耗:典型值 6.5 dB
输入IP3:+10 dBm
隔离度(LO-RF):30 dB
工作温度范围:-55°C 至 +125°C
HSMS-286P-TR1 的核心特性之一是其宽频带操作能力,使其适用于多种射频和微波应用,包括无线基础设施、测试设备和通信接收器。该混频器采用无源结构,基于肖特基二极管的平衡混频拓扑,能够实现较高的线性度和较低的互调失真。其典型的转换损耗为6.5 dB,虽然高于有源混频器,但由于其无源结构,具有更低的噪声系数和更高的稳定性。
该器件的LO输入功率要求为+7 dBm,能够在不造成过载的情况下提供足够的激励信号,同时保持良好的混频性能。HSMS-286P-TR1 的输入三阶截点(IIP3)为+10 dBm,表明其具有良好的抗干扰能力,适用于多信号环境下的高线性应用。
封装方面,HSMS-286P-TR1 采用LLCC(无引线陶瓷封装),具备优异的高频特性和热稳定性,适合高可靠性应用。其工作温度范围宽达-55°C至+125°C,支持在极端环境下的稳定运行。此外,该混频器在LO与RF端口之间具有30 dB的隔离度,有助于减少本振信号对射频输入电路的干扰。
HSMS-286P-TR1 主要用于无线通信系统中的频率转换环节,例如蜂窝基站、微波链路和卫星通信接收器。其宽频特性也使其适用于软件定义无线电(SDR)平台和测试测量设备中的混频模块。此外,该器件在需要高线性度和低失真的应用中表现出色,例如在高精度频谱分析仪和信号发生器中作为下变频或上变频元件使用。在工业和军事电子系统中,HSMS-286P-TR1 也常用于构建高稳定性射频前端。
HSMS-285P-TR1, HSMS-282C-TR1, ADL5801