HSMS-286B-TR1G是由安华高科技(Avago Technologies,现为Broadcom博通)生产的一款表面贴装型硅肖特基二极管。该器件专为高频、低电压和低电流应用而设计,适用于检波器、混频器、开关电路和射频信号处理等领域。HSMS-286B-TR1G采用SOT-23封装,便于在高密度PCB布局中使用,同时具备优良的高频性能和可靠性。
类型:硅肖特基二极管
封装类型:SOT-23
最大正向电流:20 mA
最大反向电压:7 V
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
存储温度范围:-65°C 至 +150°C
结电容(@ 1 MHz):0.3 pF
正向压降(@ 10 μA):0.22 V
正向压降(@ 1 mA):0.38 V
反向漏电流(@ 5 V):10 nA
频率范围:DC 至 10 GHz
HSMS-286B-TR1G是一款高性能硅肖特基二极管,专为低电平信号检测和射频混频等高频应用而设计。其核心优势在于极低的正向压降和非常小的结电容,这使得它在高频电路中具有优异的响应速度和信号保真能力。该器件在10 μA小电流下的正向压降仅为0.22 V,有助于提高检波效率,减少信号失真。
此外,HSMS-286B-TR1G具有极低的反向漏电流(在5 V下仅为10 nA),保证了在高温和高阻抗应用中的稳定性。其SOT-23封装不仅节省空间,还具备良好的热稳定性和机械强度,适用于自动化装配工艺。
该二极管的频率响应范围可覆盖DC至10 GHz,使其广泛应用于无线通信、雷达系统、测试仪器和便携式电子设备中的射频信号处理电路。同时,其宽工作温度范围(-55°C至+150°C)确保了在恶劣环境下的可靠运行。
HSMS-286B-TR1G的制造工艺采用了Avago的成熟硅肖特基技术,具有高一致性和长寿命,是高性能模拟和射频电路设计中的理想选择。
HSMS-286B-TR1G广泛应用于射频和微波电路中的检波、混频、开关和限幅等功能模块。在无线通信系统中,该器件常用于接收机前端的射频检波电路,用于将高频信号转换为基带信号。在测试测量设备中,HSMS-286B-TR1G可用于构建高精度的功率检测电路,提供稳定的电压响应。
此外,该器件适用于雷达和卫星通信系统中的信号混频和频率转换模块,能够有效提升系统灵敏度和动态范围。在便携式电子设备中,HSMS-286B-TR1G的低功耗特性使其成为理想的射频控制和信号处理元件。
由于其良好的高频特性和稳定性,HSMS-286B-TR1G也常用于功率监测、幅值比较、自动增益控制(AGC)电路和射频开关驱动电路等应用场景。
HSMS-285C-TR1G, HSMS-286C-TR1G, BAT62-03W, SMS7630-001