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HSMS-286B-TR1G 发布时间 时间:2025/9/16 6:15:41 查看 阅读:12

HSMS-286B-TR1G是由安华高科技(Avago Technologies,现为Broadcom博通)生产的一款表面贴装型硅肖特基二极管。该器件专为高频、低电压和低电流应用而设计,适用于检波器、混频器、开关电路和射频信号处理等领域。HSMS-286B-TR1G采用SOT-23封装,便于在高密度PCB布局中使用,同时具备优良的高频性能和可靠性。

参数

类型:硅肖特基二极管
  封装类型:SOT-23
  最大正向电流:20 mA
  最大反向电压:7 V
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-65°C 至 +150°C
  结电容(@ 1 MHz):0.3 pF
  正向压降(@ 10 μA):0.22 V
  正向压降(@ 1 mA):0.38 V
  反向漏电流(@ 5 V):10 nA
  频率范围:DC 至 10 GHz

特性

HSMS-286B-TR1G是一款高性能硅肖特基二极管,专为低电平信号检测和射频混频等高频应用而设计。其核心优势在于极低的正向压降和非常小的结电容,这使得它在高频电路中具有优异的响应速度和信号保真能力。该器件在10 μA小电流下的正向压降仅为0.22 V,有助于提高检波效率,减少信号失真。
  此外,HSMS-286B-TR1G具有极低的反向漏电流(在5 V下仅为10 nA),保证了在高温和高阻抗应用中的稳定性。其SOT-23封装不仅节省空间,还具备良好的热稳定性和机械强度,适用于自动化装配工艺。
  该二极管的频率响应范围可覆盖DC至10 GHz,使其广泛应用于无线通信、雷达系统、测试仪器和便携式电子设备中的射频信号处理电路。同时,其宽工作温度范围(-55°C至+150°C)确保了在恶劣环境下的可靠运行。
  HSMS-286B-TR1G的制造工艺采用了Avago的成熟硅肖特基技术,具有高一致性和长寿命,是高性能模拟和射频电路设计中的理想选择。

应用

HSMS-286B-TR1G广泛应用于射频和微波电路中的检波、混频、开关和限幅等功能模块。在无线通信系统中,该器件常用于接收机前端的射频检波电路,用于将高频信号转换为基带信号。在测试测量设备中,HSMS-286B-TR1G可用于构建高精度的功率检测电路,提供稳定的电压响应。
  此外,该器件适用于雷达和卫星通信系统中的信号混频和频率转换模块,能够有效提升系统灵敏度和动态范围。在便携式电子设备中,HSMS-286B-TR1G的低功耗特性使其成为理想的射频控制和信号处理元件。
  由于其良好的高频特性和稳定性,HSMS-286B-TR1G也常用于功率监测、幅值比较、自动增益控制(AGC)电路和射频开关驱动电路等应用场景。

替代型号

HSMS-285C-TR1G, HSMS-286C-TR1G, BAT62-03W, SMS7630-001

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HSMS-286B-TR1G参数

  • 数据列表HSMS-286x Series
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭RF 二极管
  • 系列-
  • 二极管类型肖特基 - 单
  • 电压 - 峰值反向(最大)4V
  • 电流 - 最大-
  • 电容@ Vr, F0.25pF @ 0V,1MHz
  • 电阻@ Vr, F-
  • 功率耗散(最大)-
  • 封装/外壳SC-70,SOT-323
  • 供应商设备封装SOT-323
  • 包装带卷 (TR)