型号：HSMS-2865-TR2G
　　类型：肖特基二极管
　　封装类型：SOT-23
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　最大反向电压：5 V
　　最大正向电流：10 mA
　　电容（@ 1 MHz）：0.3 pF
　　反向漏电流：100 nA
　　正向压降：300 mV

HSMS-2865-TR2G 具有多个显著的电气和物理特性，使其在高频电子系统中表现优异。首先，其采用的硅肖特基二极管技术提供了较低的正向压降和快速的开关响应，这对于射频和微波频率的应用至关重要。其次，该器件的低电容特性（0.3 pF @ 1 MHz）确保了在高频下仍能保持良好的信号完整性，减少信号损耗和失真。
　　此外，HSMS-2865-TR2G 的 SOT-23 封装设计使其非常适合表面贴装工艺，从而提高生产效率和电路板设计的灵活性。该封装还具有良好的热稳定性和机械可靠性，能够在恶劣环境中稳定工作。其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适合广泛的工作环境。
　　该器件的反向漏电流为 100 nA，在常温下表现出极低的漏电特性，有助于维持电路的稳定性和低功耗运行。同时，其最大反向电压为 5 V，最大正向电流为 10 mA，这使得它在低功率检测和整流应用中非常可靠。
　　由于其优异的性能，HSMS-2865-TR2G 常用于射频功率检测、混频器、倍频器、调制解调器以及各种高频通信系统中的信号处理模块。

HSMS-2865-TR2G 广泛应用于高频和射频领域，包括但不限于以下场景：射频功率检测器、无线通信系统中的混频器和倍频器、射频信号检波器、测试和测量设备中的信号处理单元、射频前端模块中的整流和调制电路等。其低电容和快速开关特性使其成为无线基础设施、雷达系统、卫星通信和工业自动化等领域的理想选择。

HSMS-286B-TR1G, HSMS-285C-TR1G, BB202, 1N5711