类型：肖特基二极管
　　封装形式：SOT-23
　　最大正向电流：20 mA
　　最大反向电压：7 V
　　正向电压（@10mA）：典型值0.35V
　　反向漏电流（@5V）：最大100nA
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　储存温度范围：-65°C至+150°C

HSMS-285P-TR2G 具备多项优良特性，使其在射频和微波应用中表现出色。其核心特性之一是低正向电压降，这有助于减少电路中的功率损耗，提高整体效率。在10mA的正向电流下，典型正向电压仅为0.35V，这对于低功耗设计至关重要。
　　该器件的快速恢复时间使其非常适合高频整流和混频应用。恢复时间通常小于1纳秒，能够有效处理高达数GHz的射频信号。此外，HSMS-285P-TR2G的结构设计使其在高温环境下仍能保持稳定工作，具有良好的热稳定性和可靠性。
　　另一个显著特点是其低反向漏电流，最大值为100nA（在5V反向电压下），这有助于减少不必要的漏电流对电路性能的影响，特别是在高阻抗电路中。此外，SOT-23封装体积小，便于在高密度PCB布局中使用，同时支持表面贴装工艺，提高了制造效率和产品一致性。
　　HSMS-285P-TR2G还具备优异的射频性能，在高频检测和混频应用中表现出良好的线性度和低失真特性。这使其成为无线通信系统、功率检测器、射频传感器等应用中的理想选择。

HSMS-285P-TR2G 广泛应用于多个高频电子系统领域。在无线通信设备中，它常用于射频信号检测、混频器和检波器电路，以实现信号的转换和处理。此外，该器件在测试与测量设备中也具有重要地位，例如频谱分析仪、信号发生器和功率计，用于高精度信号检测和校准。
　　在工业控制系统中，HSMS-285P-TR2G可用于高频整流和信号整型电路，提升系统效率和稳定性。它还被广泛应用于射频能量采集系统、无线传感器网络节点和射频识别（RFID）系统中，作为信号整流和能量转换的关键组件。
　　另外，在消费类电子产品中，如智能天线系统、无线充电设备和物联网（IoT）设备，HSMS-285P-TR2G凭借其小尺寸、高性能和低功耗特性，成为高频信号处理的理想选择。

HSMS-285C-TR2G, HSMS-286B-TR2G