时间：2025/9/15 17:51:06
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HSMS-282L-TR2G 是一款由安森美半导体（onsemi）推出的通用硅肖特基二极管阵列，广泛应用于高频开关、信号检测、电压钳位以及逻辑电平转换等场景。该器件采用双芯片配置，集成两个独立的肖特基二极管，具有低正向压降和快速恢复时间的特点，适合在高频和低功耗环境下使用。HSMS-282L-TR2G 采用 SOT-23-3 封装，便于在各类电子设备中集成。
类型：肖特基二极管阵列
最大正向电流：100 mA
最大反向峰值电压：30 V
正向压降：最大 0.35 V @ 10 mA
反向漏电流：最大 100 nA @ 25°C
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT-23-3
HSMS-282L-TR2G 具有多个关键特性，使其在多种电子应用中表现出色。首先，其低正向压降（最大 0.35 V 在 10 mA 时）可以有效降低功耗，提高系统效率，这在低电压供电系统中尤为重要。其次，快速恢复时间使其适用于高频开关电路，减少开关损耗，提升响应速度。此外，该器件的两个独立肖特基二极管可分别用于不同电路功能，如信号整流和电压钳位，增强了设计灵活性。
该器件的封装形式为 SOT-23-3，体积小巧，适合高密度 PCB 设计，且具备良好的热稳定性。HSMS-282L-TR2G 的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，可在恶劣环境条件下稳定运行，适用于工业控制、通信设备、消费电子及汽车电子等多个领域。其反向漏电流控制在 100 nA 以内，确保在高温环境下仍具有良好的阻断能力，避免信号干扰和能量损耗。
HSMS-282L-TR2G 的应用范围广泛，主要涵盖以下领域：首先，在射频（RF）电路中，该器件可用于信号检测和混频器电路，其快速响应和低正向压降使其成为理想的信号整流元件。其次，在数字电路中，HSMS-282L-TR2G 可用于逻辑电平转换和电压钳位，确保信号的完整性并保护后级电路免受过压损害。此外，该器件也常用于电源管理电路，如电池充电电路中的隔离二极管，以防止电流倒灌。
在通信系统中，HSMS-282L-TR2G 可作为保护电路的一部分，防止静电放电（ESD）或瞬态电压对敏感元件造成损坏。由于其优异的高温性能，该器件也适用于汽车电子系统，如车载信息娱乐系统、传感器接口和车身控制模块。在工业自动化设备中，HSMS-282L-TR2G 可用于信号调理和隔离电路，提升系统稳定性和可靠性。
HSMS-285C-TR2G, HSMS-282C-TR2G, BAT54S, BAS70-04
