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STN4NF20L 发布时间 时间:2025/4/29 17:53:16 查看 阅读:2

STN4NF20L 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的 N 沆道沟功率 MOSFET。该器件采用 TOLL 封装,具有低导通电阻和高效率的特点,适用于多种功率转换和电机驱动应用。这款 MOSFET 的额定电压为 200V,能够满足工业和消费类应用中对高可靠性和高性能的需求。
  STN4NF20L 利用了先进的制造工艺,具备出色的热性能和电气性能,适合用于要求严格的电路设计。

参数

最大漏源电压:200V
  连续漏极电流:7.8A
  导通电阻(典型值):160mΩ
  栅极电荷:19nC
  开关速度:快速
  封装类型:TOLL
  工作温度范围:-55℃ 至 175℃

特性

STN4NF20L 的主要特性包括:
  1. 高电压耐受能力,额定电压高达 200V,能够在高压环境中稳定运行。
  2. 低导通电阻(Rds(on)),典型值仅为 160mΩ,在高电流应用中降低了功耗。
  3. 快速开关性能,适合高频开关电源和其他高频应用。
  4. 先进的 TOLL 封装技术,提供卓越的散热性能和机械稳定性。
  5. 广泛的工作温度范围,从 -55℃ 到 +175℃,适应各种恶劣环境条件。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。

应用

STN4NF20L 主要应用于以下领域:
  1. 开关模式电源 (SMPS),如 AC/DC 和 DC/DC 转换器。
  2. 电机驱动和控制,例如家用电器中的无刷直流电机 (BLDC) 控制。
  3. 工业自动化设备中的功率管理模块。
  4. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统。
  5. LED 照明驱动电路。
  6. 各种消费类电子产品中的高效功率转换方案。

替代型号

STP4NF20L
  IRFB4110TRPBF
  FDP5570N
  IXTH20N20P3

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STN4NF20L参数

  • 其它有关文件STN4NF20L View All Specifications
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列STripFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.5 欧姆 @ 500mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs0.9nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds150pF @ 25V
  • 功率 - 最大3.3W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商设备封装SOT-223
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称497-10779-6