时间：2025/9/15 16:39:23
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HSMS-282F-TR2G 是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）推出的表面贴装型射频（RF）检波器二极管，属于HSMS-2800系列的一部分。该器件设计用于高频信号的检波应用，广泛用于无线通信系统、功率监测、信号强度检测等场合。该二极管采用SOT-23封装，具备良好的高频响应和温度稳定性，适用于需要高精度和快速响应的射频检测电路。
类型：射频检波二极管
封装：SOT-23
工作频率范围：最高可达10 GHz
正向电压（VF）：典型值1.1 V @ 1 mA
反向漏电流（IR）：最大100 nA @ 25°C
功率耗散：300 mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-65°C 至 +150°C
二极管电容：典型值0.4 pF @ 1 MHz
HSMS-282F-TR2G 是一款高性能的射频检波二极管，具备出色的高频响应能力，适用于高达10 GHz的信号检测。其核心特性之一是低正向电压降，典型值为1.1 V，在1 mA测试电流下能够确保高效的能量转换和较小的功率损耗。同时，该器件在常温下的反向漏电流极低，最大仅为100 nA，这使其在高温环境下依然能够保持良好的稳定性，适用于要求苛刻的工业和通信应用。
此外，HSMS-282F-TR2G 采用SOT-23封装形式，体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用，并具备良好的热稳定性和机械强度。其额定功率耗散为300 mW，能够在较宽的温度范围内可靠工作，适用于-55°C至+150°C的工业级温度环境。该器件的二极管电容非常低，典型值为0.4 pF，在高频电路中可减少寄生效应，提高电路响应速度和灵敏度。
作为一款成熟的射频检波器，HSMS-282F-TR2G 被广泛应用于无线基站、测试仪器、射频功率监测、信号强度指示器（RSSI）以及各种射频能量采集系统。其快速恢复时间和低电容特性使得它在检测微弱射频信号时表现出色，同时具备良好的线性度和动态范围，适用于多种模拟和混合信号电路。
HSMS-282F-TR2G 主要用于射频信号的检波和功率检测应用，适用于无线通信基础设施（如基站和中继器）、射频功率监测模块、信号强度指示器（RSSI）、射频能量采集系统、测试与测量设备、无线传感器网络以及各种需要高精度射频信号检测的电子系统。由于其高频性能优异，该器件也常用于微波通信和雷达系统的前端信号处理。
HSMS-285C-TR1G, HSMS-286B-TR1G, BB409W
