您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > SUD50N06-07L-E3

SUD50N06-07L-E3 发布时间 时间:2025/6/3 15:08:10 查看 阅读:5

SUD50N06-07L-E3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用 TO-220FP 封装。该器件具有低导通电阻和快速开关速度,适用于各种功率转换和开关应用。其额定电压为 60V,最大电流可达 50A(在特定条件下)。这种 MOSFET 广泛用于直流电机驱动、开关电源、负载开关等领域。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:50A
  导通电阻(Rds(on)):45mΩ(典型值,@ Vgs=10V)
  栅极电荷:8nC(典型值)
  开关时间:ton=21ns,toff=28ns
  工作结温范围:-55℃ 至 +150℃

特性

SUD50N06-07L-E3 具有低导通电阻,有助于降低传导损耗并提高效率。其快速的开关性能使其适合高频开关应用。此外,该器件具备良好的热稳定性,在高温环境下仍能保持稳定的性能。由于采用了 TO-220FP 封装,它能够有效散热,非常适合需要高功率密度的应用场景。
  这款 MOSFET 还具有较低的输入电容和输出电容,这进一步提高了其动态性能。同时,其封装设计便于焊接和安装,简化了电路板布局过程。

应用

SUD50N06-07L-E3 通常被应用于多种领域,包括但不限于以下方面:
  1. 开关电源(如 DC-DC 转换器、逆变器等)
  2. 电机驱动与控制
  3. 负载开关
  4. 电池保护电路
  5. 工业自动化设备中的功率管理模块
  这些应用充分利用了该 MOSFET 的高效开关能力和低导通损耗特点。

替代型号

SUD50N06L-E3, IRF540N, FDP5020

SUD50N06-07L-E3推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

SUD50N06-07L-E3参数

  • 标准包装2,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C96A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C7.4 毫欧 @ 20A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs144nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds5800pF @ 25V
  • 功率 - 最大136W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装TO-252,(D-Pak)
  • 包装带卷 (TR)