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HSMS-2825-TR2G 发布时间 时间:2025/9/16 6:01:01 查看 阅读:11

HSMS-2825-TR2G 是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)生产的表面贴装封装的硅基 PIN 二极管,广泛用于射频(RF)和微波领域的开关、检波和调制应用。该器件采用SOT-23封装,具备优异的高频性能和稳定性,适用于通信系统、测试设备和工业控制等多种高性能电子设备。

参数

类型:PIN二极管
  封装形式:SOT-23
  最大工作频率:100 MHz(典型应用可至更高)
  正向电流(IF):100 mA(最大)
  反向电压(VR):100 V(最大)
  正向压降(VF):1.1 V @ 10 mA
  电容(CT):0.3 pF @ 0 V
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

HSMS-2825-TR2G 是一款高性能的 PIN 二极管,具有低电容和快速开关特性,适用于高频信号处理。其SOT-23封装设计使其易于集成到各种射频电路中,同时具备良好的热稳定性和机械可靠性。
  该器件的正向电流能力较强,可达100 mA,能够满足多种射频功率控制需求。同时,其反向耐压达到100 V,提高了在高电压环境下的稳定性和安全性。
  在射频开关和衰减器应用中,HSMS-2825-TR2G 提供了低插入损耗和高隔离度的特性,确保信号传输的高效性和稳定性。此外,该器件还可用作检波二极管,在射频能量检测和信号强度测量中表现出色。
  由于其良好的高频响应和低寄生参数,HSMS-2825-TR2G 被广泛用于无线通信系统、射频识别(RFID)、测试仪器以及工业控制系统中。

应用

HSMS-2825-TR2G 主要应用于射频和微波电路中的开关、衰减器、检波器和调制器。常见使用场景包括无线基站、射频测试设备、卫星通信系统、医疗成像设备、工业自动化控制系统以及射频能量测量装置。

替代型号

HSMS-2855-TR1G, HSMS-2862-TR1G, BB112, BB133

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HSMS-2825-TR2G参数

  • 数据列表HSMS-282x
  • 标准包装10,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭RF 二极管
  • 系列-
  • 二极管类型肖特基 - 2 个独立式
  • 电压 - 峰值反向(最大)15V
  • 电流 - 最大1A
  • 电容@ Vr, F1pF @ 0V,1MHz
  • 电阻@ Vr, F12 欧姆 @ 5mA,1MHz
  • 功率耗散(最大)-
  • 封装/外壳TO-253-4,TO-253AA
  • 供应商设备封装SOT-143-4
  • 包装带卷 (TR)