型号：HSMS-281F-TR2G
　　制造商：Avago Technologies
　　类型：肖特基二极管
　　封装形式：表面贴装，SOT-23
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　最大正向电流：100 mA
　　最大反向电压：7 V
　　电容（@ 1 MHz）：0.3 pF
　　正向电压（@ 10 μA）：180 mV
　　反向漏电流（@ 5 V）：100 nA
　　响应时间：快速恢复
　　RF频率范围：高达 10 GHz

HSMS-281F-TR2G 是一款高性能的肖特基二极管，适用于高频信号检测和混频应用。其核心特性包括低电容和快速恢复时间，使其在高达10 GHz的射频应用中表现出色。该器件的正向电压较低，能够在低功率条件下高效工作，同时具有良好的线性度和温度稳定性，适用于宽动态范围的信号检测。SOT-23封装便于表面贴装，提高了生产效率并减少了PCB空间占用。此外，该二极管具有良好的热稳定性和机械可靠性，适合在严苛环境下使用。其反向漏电流极低，有助于在高阻抗电路中保持信号完整性。由于其优异的电气性能和紧凑的封装设计，HSMS-281F-TR2G 是许多无线通信系统、测试设备、功率监测电路和射频传感器的理想选择。

HSMS-281F-TR2G 主要用于射频信号检测、功率测量、中频混频器、调幅解调、无线通信系统中的自动增益控制（AGC）、射频识别（RFID）读卡器、频谱分析仪和便携式测试仪器。由于其高频性能和低功耗特性，该器件也常用于物联网（IoT）设备、无线传感器网络和工业自动化系统中的射频信号处理模块。
　　该二极管还可用于射频能量采集系统，将环境中的射频能量转换为直流电源，为低功耗电子设备供电。

HSMS-286C-TR2G, HSMS-285C-TR2G, HSMS-2812-TR2G