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2EZ9.1D5 发布时间 时间:2025/6/26 11:07:20 查看 阅读:4

2EZ9.1D5是一种用于高频无线电通信和雷达系统的肖特基二极管,广泛应用于检波、混频以及开关电路中。该器件采用肖特基势垒技术制造,具有低正向压降和快速恢复时间的特点,非常适合高频和高速应用。其封装形式通常为表面贴装或玻璃钝化封装,具体取决于制造商的设计标准。
  肖特基二极管的核心优势在于其低功耗和高效能表现,这使得2EZ9.1D5成为许多射频和微波电路中的关键元器件。

参数

类型:肖特基二极管
  最大正向电流:100mA
  峰值反向电压:45V
  正向电压(典型值):0.3V
  反向恢复时间:约1ns
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
  封装形式:SOD-123或TO-92

特性

2EZ9.1D5的主要特点是低正向电压降,这一特性有助于减少功耗并提高整体效率。此外,它还具备极短的反向恢复时间,确保在高频应用中能够保持稳定性能。由于采用了肖特基势垒结构,该二极管没有少数载流子存储效应,因此非常适合高频和高速开关场景。
  其高可靠性、小尺寸以及易于集成到现代电路板设计中的特点也使其成为众多工程师的首选。同时,该二极管对温度变化的敏感性较低,在极端环境下的表现依然出色。

应用

2EZ9.1D5广泛应用于高频通信领域,包括但不限于以下方面:
  1. 射频检波器:在无线通信接收端用于信号强度检测。
  2. 高速开关电路:利用其快速切换能力实现数字信号处理。
  3. 混频器:将两个频率混合生成新的频率成分。
  4. 保护电路:防止过压或瞬态电压对其他敏感元件造成损害。
  5. 微波设备:如雷达系统中的信号处理模块。
  这些应用充分发挥了2EZ9.1D5在高频和高速领域的独特优势。

替代型号

1SS306, BAT85, MDA100

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2EZ9.1D5参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)9.1V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.2V @ 200mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电3µA @ 7V
  • 容差±5%
  • 功率 - 最大2W
  • 阻抗(最大)(Zzt)2.5 欧姆
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳DO-204AL,DO-41,轴向
  • 供应商设备封装DO-41(DO-204AL)
  • 包装带卷 (TR)
  • 工作温度-65°C ~ 150°C
  • 其它名称2EZ9.1D5DO412EZ9.1D5DO41MSTR2EZ9.1D5DO41MSTR-ND2EZ9.1D5MSTR