时间：2025/9/15 15:52:38
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HSMS-281C-TR2G 是由安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款射频（RF）肖特基二极管，广泛应用于无线通信、测试设备、工业控制等射频信号处理领域。该器件采用SOT-23封装，便于表面贴装，具有优良的射频性能和可靠性。
类型：肖特基二极管
封装类型：SOT-23
最大正向电流（IF）：20 mA
最大反向电压（VR）：15 V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
频率范围：高达10 GHz
结电容（Cj）：0.3 pF（典型值）
正向压降（VF）：0.32 V（典型值，IF=1 mA）
反向漏电流（IR）：10 nA（最大值，VR=10 V）
HSMS-281C-TR2G 是一款高性能的射频肖特基二极管，适用于多种射频检测和混频应用。其主要特性包括低正向压降、低结电容和高频响应，能够有效提升电路的信号处理能力和效率。
该器件的SOT-23封装形式不仅节省空间，还具备良好的热稳定性和机械强度，适合在高密度PCB设计中使用。此外，HSMS-281C-TR2G 的低漏电流特性使其在低功耗应用中表现出色，适合用于便携式设备和电池供电系统。
该二极管的典型应用包括射频检波器、频率混频器、电压检测电路、自动频率控制（AFC）系统等。其优异的高频性能确保在10 GHz以下的应用中保持稳定的信号处理能力，同时其宽工作温度范围使其适用于各种严苛环境。
HSMS-281C-TR2G 主要用于无线通信系统中的射频信号处理模块，例如射频功率检测、频率合成、混频器和检波器电路。它还广泛应用于测试与测量设备、无线基础设施、工业控制系统、雷达和传感器网络等高性能射频电子系统中。由于其优良的高频特性和低功耗设计，该器件也适用于便携式通信设备和电池供电的射频应用。
HSMS-285C-TR2G, HSMS-282C-TR2G, BB112, SMS7630-001
