时间：2025/8/6 12:59:30
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IXFN100N50P是一款由Littelfuse公司生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于高功率开关电路中。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，具备高耐压、低导通电阻和高电流容量等特点，适用于如电源转换器、电机驱动器和工业自动化设备等高功率电子系统。IXFN100N50P封装形式为TO-247，便于安装和散热。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：500V
栅源电压（VGS）：±20V
漏极电流（ID）：100A
导通电阻（RDS(on)）：0.017Ω
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-247
功率耗散（PD）：300W
IXFN100N50P的主要特性包括高耐压能力（500V漏源电压），使其适用于高压电路应用；低导通电阻（RDS(on)）为0.017Ω，显著降低了导通损耗，提高系统效率；该器件具有高达100A的连续漏极电流能力，适用于高电流负载场景。
此外，IXFN100N50P采用了先进的沟槽式MOSFET技术，优化了导通性能和开关速度，从而减少了开关损耗。其TO-247封装设计便于安装和连接散热器，确保在高功率运行下的热稳定性。该器件还具有良好的抗雪崩击穿能力和高短路耐受能力，增强了系统的可靠性和安全性。
IXFN100N50P的栅极驱动电压范围为±20V，兼容多种驱动电路设计，并且具备快速开关响应能力，适用于高频开关应用。其热阻（RθJC）低至0.41°C/W，进一步提升了散热效率，延长了器件的使用寿命。
IXFN100N50P主要用于高功率开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及电机控制系统等应用中。在电源管理领域，该器件适用于高效能电源转换系统，如服务器电源、工业电源和不间断电源（UPS）。由于其高电流容量和低导通电阻，IXFN100N50P也常用于电动工具、电动车驱动器及家用电器的功率控制模块。
在工业自动化和控制系统中，该MOSFET可用于PLC（可编程逻辑控制器）输出级和继电器替代电路，实现高效、可靠的开关控制。在新能源领域，IXFN100N50P可应用于太阳能逆变器和风力发电系统的功率转换模块，提升能源转换效率。此外，它还可用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制电路，确保电池组的安全和高效运行。
IXFH100N50P, IXFN90N60P, IRFP4668, STW100N50DM2
