时间：2025/9/15 15:22:30
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HSMS-281B-TR2G是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）推出的单刀双掷（SPDT）射频开关集成电路。这款开关器件采用Pb（铅）封装技术，适用于高频射频应用，具备良好的隔离度和插入损耗性能。HSMS-281B-TR2G广泛应用于通信设备、测试仪器和射频前端模块中，能够满足高性能射频开关需求。该器件采用表面贴装封装，便于在现代电子系统中进行集成。
工作频率范围：0.1 MHz 至 3 GHz
插入损耗：典型值0.3 dB（最大0.5 dB）
隔离度：典型值25 dB（在2 GHz时）
功率处理能力：最大输入功率26 dBm
工作电压范围：2.7 V 至 5.5 V
控制电压：兼容3.3 V 和 5 V TTL/CMOS
封装形式：SOT-23-5
HSMS-281B-TR2G射频开关IC具备优异的高频性能，其工作频率可覆盖低频到3 GHz的高频范围，适用于多种无线通信系统。其插入损耗低，确保信号在开关过程中保持较高的完整性。此外，该器件具有较高的隔离度，在2 GHz频率下典型值达到25 dB，有效防止信号通道之间的干扰。
该IC采用宽电压供电设计，支持2.7 V至5.5 V的工作电压范围，并兼容3.3 V和5 V的TTL/CMOS控制信号，方便与多种控制系统接口连接。此外，其功率处理能力较强，最大输入功率可达26 dBm，能够在较高功率环境下稳定工作。
HSMS-281B-TR2G采用紧凑的SOT-23-5封装形式，适合在空间受限的设计中使用，同时支持表面贴装工艺，便于自动化生产和高密度PCB布局。
该芯片广泛应用于无线通信设备，如基站、射频收发模块和射频测试仪器中，用于实现射频信号路径的切换。此外，HSMS-281B-TR2G也可用于射频前端模块中的天线切换、滤波器选择和功率放大器切换等应用场景。其高可靠性与优异的射频性能使其成为工业级通信设备和测试测量仪器的理想选择。
HSMS-281B, SKY12217-396LF, HMC649LC4B
