封装类型：SOT-363
　　二极管类型：双PIN二极管（反向并联）
　　材料：GaAs（砷化镓）
　　工作频率范围：DC至10 GHz
　　最大连续正向电流：20 mA
　　反向击穿电压：50 V
　　电容（在0V，1 MHz）：0.2 pF
　　正向电压（@1 mA）：1.1 V至1.4 V
　　封装尺寸：2.0 mm x 2.1 mm x 0.95 mm

HSMS-2802G 的关键特性之一是其双PIN二极管结构，两个PIN二极管以反向并联的方式集成在一个小型SOT-363封装中，这种结构使得该器件能够在射频电路中实现双向控制和高线性度。此外，该器件采用GaAs工艺，具有较低的串联电阻和良好的高频响应，使其在高频应用中表现出色。其低电容特性（0.2 pF）有助于减少信号损耗，提高开关速度，适用于高频率信号路径的控制。
　　该器件的工作频率范围覆盖从DC到10 GHz，适合多种无线通信系统，如蜂窝基站、Wi-Fi接入点、RF测试设备等。其正向电压在1 mA电流下为1.1 V至1.4 V之间，确保了低功耗操作，同时也能提供足够的导通能力。由于采用表面贴装封装，HSMS-2802G 便于自动化装配，适用于高密度PCB布局。
　　另一个重要特性是其良好的热稳定性和可靠性，在较宽的温度范围内（通常为-55°C至+125°C）仍能保持稳定性能，适用于工业级和通信级设备。

HSMS-2802G 广泛应用于射频和微波电子系统中，特别是在需要高频信号控制和调节的场合。常见的应用包括RF开关、可变衰减器、功率检测器、自动增益控制（AGC）电路以及频率合成器中的调节元件。由于其双PIN二极管的反向并联结构，该器件特别适合用于双向信号路径中的增益调节和信号衰减。
　　在通信设备中，HSMS-2802G 常用于蜂窝基站、无线接入点、卫星通信系统以及测试测量仪器中，用于实现RF信号的动态控制和优化。此外，在工业控制系统和医疗电子设备中，该器件也可用于高频信号的调节和保护。

HSMS-2850, HSMS-2862, RF2001, SKY13307-345LF