时间：2025/6/30 15:20:56
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FCU850N80Z是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于高效率开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要快速开关和低导通损耗的场景。该器件采用了先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，能够有效减少功率损耗并提升系统效率。
FCU850N80Z为N沟道增强型MOSFET，其额定电压为80V，适用于中低压应用场合。此外，它还具备优异的热性能和可靠性，非常适合在苛刻环境下使用。
额定电压：80V
最大漏源电流：50A
导通电阻（典型值）：8.5mΩ
栅极电荷：17nC
输入电容：2400pF
最大工作结温：175℃
封装形式：TO-247
1. 极低的导通电阻，仅为8.5mΩ，有助于降低导通损耗，提高整体效率。
2. 快速开关能力，栅极电荷仅为17nC，可实现高频操作，适合开关电源等应用。
3. 高额定电流，最大漏源电流可达50A，支持大功率应用需求。
4. 良好的热稳定性，最高结温可达175℃，确保器件在高温环境下仍能可靠运行。
5. 封装采用标准TO-247，易于安装并提供良好的散热性能。
6. 内部结构优化设计，提升了抗浪涌能力和长期可靠性。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
3. 工业设备中的逆变器和转换器。
4. 太阳能微逆变器及其他新能源相关产品。
5. 各类DC-DC转换器及负载切换电路。
6. 电池保护与管理系统中的电子开关组件。
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